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2008 年 2 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2008年 5月号Siでミリ波通信向け送受信チップNEC日経産業新聞
(2008年2月4日PP.5)
出力7mW
通信距離数10m
90nm半導体製造技術
2.6Gbps
サイズ2mm角
140
240
2008年 5月号センサで行動分析を行う『ライフ顕微鏡』日立日経産業新聞
(2008年2月4日PP.1)
腕時計型と名札型
温度センサと加速度センサ
無線通信機能
分析された行動パターンと本人の自己評価を比較
行動パターンの改善策を提示
赤外線通信によるID識別
人間関係の分析
620
2008年 5月号ダイナミックレンジ140dBのMOSイメージセンサ松下電器日経産業新聞
(2008年2月6日PP.7)
露光時間を変えた3枚の画像を画素単位で合成出力
一つのメモリー素子で高速制御
ほぼリアルタイムで処理
210
2008年 5月号安価
手軽な映像合成技術
NHK日刊工業新聞
(2008年2月6日PP.1)
バーチャル再撮技術
RGB3色を四隅に配置したパネルを自動認識したキーで別映像を合成
520
2008年 5月号記録容量20倍の次世代HDクレステック日経産業新聞
(2008年2月7日PP.1)
パターンドメディア
記録容量は1Tb/in2
直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける
230
160
2008年 5月号広帯域音声符号化方式が国際標準化NTT産経新聞
(2008年2月7日PP.9)
G.711-WB
50Hz〜7kHzを伝送
従来方式機器とも相互接続可能
パケットが欠落しても高精度に復元可能
NGN
IP電話
ITU-T
440
540
2008年 5月号発色純度高い無機EL
-ブラウン管並み-
HOYA日経産業新聞
(2008年2月8日PP.1)
CdとSeの化合物半導体の発光材料
粒径2〜6nmのナノ結晶
250
120
2008年 5月号最先端LSIパターン作製高速化クレステック
農工大
日経産業新聞
(2008年2月18日PP.10)
配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製
面電子源
160
2008年 5月号演算能力20倍の3次元LSI東芝
米スタンフォード大
日本経済新聞
(2008年2月18日PP.23)
CNT
素子配線
ReRAMを演算回路と積層
220
260
2008年 5月号新種の高温超電導体東工大日経産業新聞
(2008年2月19日PP.8)
日刊工業新聞
(2008年2月19日PP.22)
LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物
酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導
フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ
120
160
220
2008年 5月号ナノ粒子の簡便な新製法阪大
名大
日経産業新聞
(2008年2月21日PP.9)
イオン液体
スパッタリング装置
粒径を2〜10数nmの範囲で制御
粒径誤差約15%
160
120
2008年 5月号極端紫外光の変換効率4%阪大日経産業新聞
(2008年2月22日PP.10)
スズの粒をYAGレーザ照射で膨張させた後に炭酸ガスレーザを照射
EUV
250
2008年 5月号超高精細映像を瞬時に合成三菱電機日経産業新聞
(2008年2月22日PP.10)
歪み補正
解像度調整
ハイビジョンカメラ5台とパソコン5台をLANに接続してハイビジョンの4倍の解像度を持つ映像をリアルタイムに合成
遅延は約0.15秒
520
2008年 5月号光の吸収量が裏表で変化する新物質東北大日経産業新聞
(2008年2月25日PP.19)
メタホウ酸銅
-253℃以下に冷却
3/100Tの磁場をかけ
0.88μmの近赤外光を当てる
裏表で吸収量が3倍違う
方向二色性
240
120
2008年 5月号量子暗号通信の中継技術東北大
産総研
日経産業新聞
(2008年2月27日PP.12)
日刊工業新聞
(2008年2月27日PP.31)
量子中継器
光子から電子へ1対1で転写
AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製
電子と光子のもつれ合い解消
120
160
220
2008年 5月号単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術産総研日経産業新聞
(2008年2月27日PP.12)
日刊工業新聞
(2008年2月27日PP.31)
ゲル電気泳動法応用
界面活性剤
超音波
半導体型純度95%以上
金属型純度70%以上
回収率100%近い
120
160
2008年 5月号やわらかい無機発光材料東大
KAST
フジサンケイビジネスアイ
(2008年2月28日PP.11)
グラファイトフィルム
GaN結晶
パルス励起堆積法
紫外線励起による発光
250
160
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