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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2008年 5月号 | Siでミリ波通信向け送受信チップ | NEC | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.5) | 出力7mW 通信距離数10m 90nm半導体製造技術 2.6Gbps サイズ2mm角 | 140 240 |
2008年 5月号 | センサで行動分析を行う『ライフ顕微鏡』 | 日立 | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.1) | 腕時計型と名札型 温度センサと加速度センサ 無線通信機能 分析された行動パターンと本人の自己評価を比較 行動パターンの改善策を提示 赤外線通信によるID識別 人間関係の分析 | 620 |
2008年 5月号 | ダイナミックレンジ140dBのMOSイメージセンサ | 松下電器 | 日経産業新聞 (2008年2月6日PP.7) | 露光時間を変えた3枚の画像を画素単位で合成出力 一つのメモリー素子で高速制御 ほぼリアルタイムで処理 | 210 |
2008年 5月号 | 安価 手軽な映像合成技術 | NHK | 日刊工業新聞 (2008年2月6日PP.1) | バーチャル再撮技術 RGB3色を四隅に配置したパネルを自動認識したキーで別映像を合成 | 520 |
2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
2008年 5月号 | 広帯域音声符号化方式が国際標準化 | NTT | 産経新聞 (2008年2月7日PP.9) | G.711-WB 50Hz〜7kHzを伝送 従来方式機器とも相互接続可能 パケットが欠落しても高精度に復元可能 NGN IP電話 ITU-T | 440 540 |
2008年 5月号 | 発色純度高い無機EL
-ブラウン管並み- | HOYA | 日経産業新聞 (2008年2月8日PP.1) | CdとSeの化合物半導体の発光材料 粒径2〜6nmのナノ結晶 | 250 120 |
2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
2008年 5月号 | ナノ粒子の簡便な新製法 | 阪大 名大 | 日経産業新聞 (2008年2月21日PP.9) | イオン液体 スパッタリング装置 粒径を2〜10数nmの範囲で制御 粒径誤差約15% | 160 120 |
2008年 5月号 | 極端紫外光の変換効率4% | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年2月22日PP.10) | スズの粒をYAGレーザ照射で膨張させた後に炭酸ガスレーザを照射 EUV | 250 |
2008年 5月号 | 超高精細映像を瞬時に合成 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2008年2月22日PP.10) | 歪み補正 解像度調整 ハイビジョンカメラ5台とパソコン5台をLANに接続してハイビジョンの4倍の解像度を持つ映像をリアルタイムに合成 遅延は約0.15秒 | 520 |
2008年 5月号 | 光の吸収量が裏表で変化する新物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年2月25日PP.19) | メタホウ酸銅 -253℃以下に冷却 3/100Tの磁場をかけ 0.88μmの近赤外光を当てる 裏表で吸収量が3倍違う 方向二色性 | 240 120 |
2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
2008年 5月号 | 単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | ゲル電気泳動法応用 界面活性剤 超音波 半導体型純度95%以上 金属型純度70%以上 回収率100%近い | 120 160 |
2008年 5月号 | やわらかい無機発光材料 | 東大 KAST | フジサンケイビジネスアイ (2008年2月28日PP.11) | グラファイトフィルム GaN結晶 パルス励起堆積法 紫外線励起による発光 | 250 160 |