Japanese only.

2010 年 10 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2011年 1月号雰囲気を確認できる遠隔地間コミュニケーションシステムOKI日刊工業新聞
(2010年10月1日PP.8)
遠隔地から社内の状況を確認しながらコミュニケーション
臨場感
意思伝達
吹き出し
310
420
450
2011年 1月号GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器富士通日刊工業新聞
(2010年10月4日PP.18)
ミリ波帯向け
出力1.3W
67〜80GHzで10Gbps
通信可能距離10km
240
220
2011年 1月号MEMS式シャッタを利用したディスプレイ日立ディスプレイズ
米ピクストロニクス
日刊工業新聞
(2010年10月5日PP.11)
日経産業新聞
(2010年10月5日PP.3)
画素ごとにMEMSシャッタを設けた構造
シャッタ開口率12%に対し光の利用効率60%
2.5型で消費電力180mW
250
2011年 1月号JPEGよりファイル容量4割減の画像圧縮形式米グーグル日経産業新聞
(2010年10月5日PP.3)
WebP
On2テクノロジーの技術を応用
VP8
520
2011年 1月号スピンの量子引きこもり現象の構造解明東工大
東京理科大
日刊工業新聞
(2010年10月6日PP.21)
籠目格子反強磁性体
フッ化ルビジウム銅スズ
電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造
120
2011年 1月号記録容量が両面で1TBの光ディスクTDK日刊工業新聞
(2010年10月5日PP.1)
記録層を16層積み上げ230
2011年 1月号熱アシスト方式を利用したHDD用ヘッドTDK日経産業新聞
(2010年10月8日PP.5)
1平方インチあたり1Tb
熱アシスト方式
近接場光をディスク表面で発生
レーザのパワーを急峻に変化
230
2011年 1月号ホログラフィ表示を高精細化情通機構日経産業新聞
(2010年10月8日PP.13)
3300万画素
対角4cmの液晶素子を3枚
映像の広がり15度
250
450
2011年 1月号電子移動度がSiの10倍の新素材東工大日経産業新聞
(2010年10月11日PP.5)
グラフェンより加工が容易
セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造
ファンデルワールス力
120
2011年 1月号量子暗号ネットワークで動画配信実験に成功

・一行
NEC
三菱電機
NTT
情通機構
米スタンフォード大
日刊工業新聞
(2010年10月15日PP.22)
配信距離総計140km
従来比100倍の100kbpsで暗号鍵を生成
差動位相シフト量子鍵配送プロトコル
440
520
2011年 1月号波長可変のSi発光技術米カルフォルニア工科大日経産業新聞
(2010年10月18日PP.11)
Si上に直径数nmの針の集合体形成
2.49〜8.58nmの針で670〜780nmの発光
250
160
2011年 1月号脳活動を計測し指の動きを高精度に再構成情通機構
ATR
日刊工業新聞
(2010年10月21日PP.18)
日経産業新聞
(2010年10月21日PP.11)
機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI)
指先の動きを20ms間隔でコンピュータ上に表せる
活発に働いている脳の位置情報を取得
ブレインマシンインタフェース(BMI)
MEG(脳磁図)
210
620
660
2011年 1月号CNT利用の安価な高性能トランジスタ名大日経産業新聞
(2010年10月21日PP.11)
Si薄膜の代わりに直径1.5nm
長さ1μmのCNTを敷き詰める
縦横1cmのTFTを試作
厚さ0.5mmの基板上に2〜3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万
120
220
2011年 1月号神経の信号伝達を可視化芝浦工大日経産業新聞
(2010年10月25日PP.11)
膜電位感受性色素という蛍光物質の変化を観察660
2011年 1月号吸収波長が広い太陽電池向け増感色素物材機構日刊工業新聞
(2010年10月25日PP.1)
350〜1000nmの波長を吸収
変換効率6.3%
250
120
2011年 1月号容量3割増のLiイオン電池用負極材産総研
石原産業
日経産業新聞
(2010年10月26日PP.9)
水素を含むチタン酸化物
酸化物1gあたりの充放電容量は約225mAh
120
250
2011年 1月号水溶液中の金属電気分解反応の観察技術東北大日経産業新聞
(2010年10月27日PP.1)
光学顕微鏡により短時間で原子レベルを観察可能に660
360
2011年 1月号厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体物材機構日刊工業新聞
(2010年10月27日PP.21)
酸化物ナノシート2種積層120
2011年 1月号ナノ空間で多電子制御物材機構
北大
日刊工業新聞
(2010年10月29日PP.29)
直径10nmの半導体量子ドット
複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御
液滴エピタキシー法
GaAs量子ドット
イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功
120
2011年 1月号酸化亜鉛使用の高速電子素子東大
東北大
東工大
ローム
日経産業新聞
(2010年10月29日PP.9)
厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT
分数量子ホール効果
電子移動度がSiの約10倍の可能性
220
120
ITE homepage is here.