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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2011年 2月号 | 画像で力の感覚伝達 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2010年11月1日PP.16) | スードハプティック | 520 620 |
2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
2011年 2月号 | 分数量子ホール効果を酸化物の界面で観測 | 東大 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月3日PP.16) | 単結晶のZnOの上に分子線エキタピシー法を使いMgを添加し結晶を成長させて界面を作製 酸化物系の界面での最高値と比べて9倍の値 | 660 |
2011年 2月号 | 絶縁体が金属に変化する仕組みを解明 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月3日PP.16) | チタン酸ストロンチウムの絶縁体 キャリヤ供給層を間に挟み込んだ酸化膜の超格子構造 | 660 |
2011年 2月号 | 近未来ショッピング実験 | ATR | 日経産業新聞 (2010年11月4日PP.11) | 携帯端末へリアルタイムで情報発信 タッチパネル付ベビーカーで利用 | 440 |
2011年 2月号 | 透明な高周波デバイス作成技術 | 物材機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2010年11月4日PP.21) | 微細な金属配線と酸化物の透明誘電体からなるハイブリッド素子 | 120 250 |
2011年 2月号 | 水素原子の撮影に成功 | 東大 | 朝日新聞 (2010年11月4日PP.12) | 電子ビームを水素とパナジウムの化合物の結晶にぶつけ撮影 | 660 |
2011年 2月号 | グラフェンを直接合成 | インキュベーション・アライアンス 大分大 | 日刊工業新聞 (2010年11月5日PP.1) | 高速化学気相成長(CVD) 大きさ約10μm 厚さ2.1nm 7層構成 | 120 |
2011年 2月号 | 光を当てると曲折するフィルム | JST 理研 | 日経産業新聞 (2010年11月5日PP.10) | 人工筋肉用素材 アゾベンゼン 5m×6m×厚さ10μmのフィルム | 250 |
2011年 2月号 | SiGe製光スイッチ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年11月9日PP.25) | Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造 光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm 動作電力1.5mW 動作可能な波長範囲1520nm〜1565nm | 120 240 |
2011年 2月号 | 超電導薄膜を高速に作製できる技術 | 吉野 | 日経産業新聞 (2010年11月10日PP.9) 日刊工業新聞 (2010年11月11日PP.21) | MgB2超電導膜 臨界温度39K 材料の微粒子をガスに分布 エアロゾル・デポジション法 従来の100倍の速さで作製可能 | 120 160 |
2011年 2月号 | 曲がる人感センサ | ダイキン工業 神戸大 | 日刊工業新聞 (2010年11月10日PP.1) | VDFオリゴマーを強誘電体に使用 | 110 210 |
2011年 2月号 | 薄膜の堆積速度を調整可能なスパッタ装置 | 山口大 | 日刊工業新聞 (2010年11月12日PP.20) | 装置1台で薄膜を形成 稼働磁場発生機構 1分間の堆積速度15nmから50nmまで調整可能 | 360 |
2011年 2月号 | 携帯向け配信動画を高画質のまま拡大 | KDDI研 | 日経産業新聞 (2010年11月16日PP.1) | 動画を事前に分割して保存 あらかじめ画素数を増やす ユーザ要求に応じて送信ブロックを切換え | 520 |
2011年 2月号 | マックスウェルの悪魔再現 | 東大 中大 | 日刊工業新聞 (2010年11月16日PP.26) | 熱力学第二法則のパラドックスを実験で再現 情報をエネルギーに変換するシステム 情報-エネルギーの変換効率は約30% | 660 |
2011年 2月号 | 近接場光の光源を大面積化する技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2010年11月24日PP.7) | 面状光源 1cm2 直径10nmの金ナノ粒子を敷き詰め | 250 |
2011年 2月号 | 有機太陽電池で1000nmの近赤外線光を光電変換 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 電子を放出しやすい分子と受け取りやすい分子が交互に積み重なった構造 励起子が広がる距離がフラーレンの1000倍 | 150 |
2011年 2月号 | 高耐熱性かつ低消費電力のPRAM | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 170℃の耐熱性 Ge-Cu-Te化合物 融点520℃ 結晶化温度240℃ | 130 230 |
2011年 2月号 | 地上デジタル放送の普及率90.3% | 総務省 | 日経産業新聞 (2010年11月25日PP.3) | 政府目標91%に届かず | 540 660 |
2011年 2月号 | 半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法 | 兵庫県立大 | 日刊工業新聞 (2010年11月26日PP.1) | プラスチック基板 420〜580℃で結晶化 | 120 250 |
2011年 2月号 | 世界最高の移動度を持つ有機トランジスタ | 物材機構 広島大 | 日刊工業新聞 (2010年11月30日PP.32) | 新開発の溶液プロセス 移動度が9倍以上に向上 | 120 250 |