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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2011年 3月号 | 色素増感型太陽電池向け白金の代替素材 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月6日PP.11) | 白金(Pt)と同等の光電変換効率 変換効率4.77% 多層CNT・イミダゾール系イオン液体・導電性高分子 | 120 250 |
| 2011年 3月号 | 酸化物半導体TFTで作った整流回路 | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年12月7日PP.1) | 13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能 ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作 インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良 | 220 250 |
| 2011年 3月号 | 1基板で多色の発光が可能なLED | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月7日PP.10) | マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御 青と緑の発光 1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる | 120 250 160 |
| 2011年 3月号 | GaN基板の低価格量産技術 | 三菱化学 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.1) | コスト1/10 液相法 サファイア基板の1/3の電力で出力3倍 緑色レーザ | 120 |
| 2011年 3月号 | テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.7) | 磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12) 3.3ps周期の回転する磁力線 0.3ps間隔で振幅を制御 | 120 |
| 2011年 3月号 | TFT液晶の消費電力を低減 | 阪大 | 日経産業新聞 (2010年12月9日PP.11) | ゲート厚10nm 高濃度硝酸による表面処理 電圧1/12 多結晶Siを120℃で68%以上の高濃度の硝酸に入れて酸化膜を作成 発電効率15%以上向上 1/144に | 250 |
| 2011年 3月号 | 光電変換効率2%の透明太陽電池 | 岐阜大 | 日経産業新聞 (2010年12月10日PP.8) | ZnOなどの厚さ3〜10μmの薄膜を盛り近赤外光吸収色素をつけた 波長760〜1000nmで0.6〜2.0%の光を吸収 色素増感型 | 250 |
| 2011年 3月号 | 様々な波長でSiを発光させる技術 | NTT | 日経産業新聞 (2010年12月16日PP.11) | Si層を厚さ8.5nmで重ねる 光の強度を保ったまま波長を1.1μm〜1.15μmの範囲で変更可能 Siにリンを混合 | 140 340 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 「きずな」で1.2Gbps伝送に成功 | 情通機構 | 電波タイムズ (2010年12月6日PP.1) | 衛星通信で世界最高速 4K3D映像の伝送に成功 伝送速度に1.2Gbps 高速多重D/Aコンバータを用いた地上局用システム | 540 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 3月号 | 48個のベンゼン環を連結した分子バネを合成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2010年12月15日PP.22) | ベンゼン環3つを1巻きとした螺旋構造 銅原子を使ってベンゼン環同士を緩く結合させたあとに直接連結 | 120 |
| 2011年 3月号 | 演算と記憶の複合素子を開発 | 物材機構 阪大 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月24日PP.20) | アトムトランジスタ わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる 不揮発性ロジック回路 | 220 230 |
| 2011年 3月号 | CNT内で光化学反応 | NEC 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2010年12月27日PP.1) | スーパコンピュータ 計算機シミュレーション 地球シミュレータ HC1 強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる フェムト秒レーザ | 120 160 620 |