Japanese only.
| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2010年 5月号 | 記録容量5倍の新方式HDD | 日立 | 日経産業新聞 (2010年2月2日PP.1) | 近接場光 熱アシスト 幅20nm以下の領域を加熱 ヘッド部品の先端部曲率半径10nm以下 2.5Tb/in2記録可能 | 230 |
| 2010年 5月号 | モバイル機器の通信網で最適な経路を選び出す制御技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2010年2月4日PP.1) | NGN プログラマブルフロースイッチ オープンフロー WiMAX Wi-Fi | 440 |
| 2010年 5月号 | 出力10倍のダイヤ製LED | 産総研 物材機構 岩崎電気 シンテック | 日経産業新聞 (2010年2月9日PP.11) | 発光出力0.3mW 波長235nm 0.1mW程度の計100秒照射で大腸菌を殺菌 | 250 |
| 2010年 5月号 | Si基板でLED | 北大 | 日経産業新聞 (2010年2月10日PP.11) | Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる ワイヤの長さを1〜2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | ZnO透明電極を用いた20インチ液晶テレビ試作 | 高知工科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月11日PP.14) | 酸化インジウム スパッタ成膜 薬液耐性技術 約3μmの微細なウェット加工 | 120 250 160 |
| 2010年 5月号 | 2GHz動作の単一光子検出器 | 日大 | 日刊工業新聞 (2010年2月12日PP.1) | なだれフォトダイオード(APD) 約一万倍の電子増幅率で検出成功 | 210 320 |
| 2010年 5月号 | LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月15日PP.12) | 駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた | 120 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | 通信速度3倍のデジタル信号補正技術 | NEC NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.11) | 16Gbps 伝送中に乱れたデジタル信号を補正 乱れたデジタル信号が後段の信号に及ぼす影響を差し引く方法 | 340 520 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 5月号 | 細い線状の太陽電池 | イデアルスター 金沢大 静大 東北大 東京理科大 慶応大 九産大 | 日経産業新聞 (2010年2月18日PP.1) | 直径0.8mm厚さ約500nmの電池 光を電気に変換する効率は3% 長さ5cmの細線を試作 フラーレン | 250 120 |
| 2010年 5月号 | 電子の見かけの質量を1000倍に | 京大 名大 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年2月19日PP.20) | 大気の1/10兆の真空状態 特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着 薄膜の厚さ約300nm 縦横1cm ほぼ絶対零度 分子線エピタキシー 電子を平面上空間に閉じ込める | 120 |
| 2010年 5月号 | 次世代テレビ向け画像拡大技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) | 4K2K 多重解像度解析技術 拡大した場合の輪郭図を推定 輪郭を抽出して合成 | 520 540 |
| 2010年 5月号 | 液晶テレビ用蛍光管バックライト | サンケン電気 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.1) | 冷陰極蛍光管(CCFL)と呼ぶ光源を改良 コスト6割減 導光板 | 250 |
| 2010年 5月号 | 有機EL照明で電力効率2.9倍に | 東工大 新日本石油 | 日本経済新聞 (2010年2月22日PP.13) | 発光層 数100μmレベルの凹凸を持つしわ状に作製 | 160 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20〜25nm厚さ2〜3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 5月号 | 回路面積1/10 消費電力1/5の無線通信用AD変換器 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月24日PP.11) | 逐次比較型 キャパシタの数36個 面積0.06mm2 消費電力1.21mW | 220 |
| 2010年 5月号 | 蓄電容量2〜3割アップのコンデンサ添加原料 | 宇部マテリアルズ | 日経産業新聞 (2010年2月25日PP.1) | 炭酸ストロンチウムを2〜3%添加 積層セラミックコンデンサ | 120 |
| 2010年 5月号 | 変換効率15.9%の曲がる太陽電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年2月26日PP.32) | CIGS薄膜 ナトリウム アルカリ金属 セラミックス基板 ケイ酸塩ガラス モリブデン電極 | 160 250 |
| 2010年 5月号 | 固体高分子型燃料電池の性能劣化を防ぐ技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2010年2月26日PP.11) | 白金触媒を二酸化ケイ素で覆う 性能低下1/8 | 250 |