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2010 年 5 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2010年 8月号消費エネルギー1/200の光スイッチNTT日経産業新聞
(2010年5月3日PP.6)
フォトニック結晶
中核部品の幅0.5μm
420アトジュール
340
440
2010年 8月号曲げても全面発光するLED照明部材出光興産日経産業新聞
(2010年5月7日PP.1)
アクリル樹脂の端面にLED光源
90°曲げても面全体が発光
透過率95%
反射率はガラスの1.3倍
250
2010年 8月号超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子理研
NEC
日刊工業新聞
(2010年5月11日PP.22)
超電導量子ビット
巨視的量子散乱などの量子光学現象
120
220
2010年 8月号物音を検出する自動監視システム日立日経産業新聞
(2010年5月11日PP.11)
8個のマイクを内蔵した特殊マイクを2基設置
誤差20cm以内
同一人物を7000万件の写真から0.3秒で検索
520
620
310
2010年 8月号違法動画検出技術がMPEG7に採用NEC日経産業新聞
(2010年5月12日PP.11)
一コマで380ヵ所の明るさを比較
識別率96%
誤検出率1/200
000
520
2010年 8月号半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成NTT
独ポール・ドルーデ研
日刊工業新聞
(2010年5月12日PP.1)
In原子を1個ずつ積み上げ
STMの金属製プローブ
nm寸法の構造
InAs基板
120
160
2010年 8月号スピンRAMの5Gb超の大容量化技術産総研日刊工業新聞
(2010年5月14日PP.18)
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.10)
トンネル磁気抵抗素子(TMR素子)
MgO層の厚さを約1nmに
高いスピン分極
磁気抵抗比85%
素子抵抗値約4Ωμm2
230
2010年 8月号磁気テープの記録容量を30倍以上に増やせる製造技術日立マクセル
東工大
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.1)
スパッタ
テープ1巻で50TB
3層で計100nm弱の記録層を形成
垂直磁気記録
130
230
2010年 8月号2インチm面GaN基板作成に成功東北大日刊工業新聞
(2010年5月17日PP.1)
高輝度LED
結晶の成長方向を制御
120
250
2010年 8月号仮想物体の触感を伝える技術NHK日刊工業新聞
(2010年5月18日PP.1)
3Dスキャナで取得
パソコンで3D仮想物体を作成
力覚を伝える専用装置
620
250
2010年 8月号Cs添加フラーレンが超電導状態となる条件解明高輝度光科学研
理研
英リバプール大
日経産業新聞
(2010年5月20日PP.13)
面心立方構造でも-238℃で超電導状態
特定の電子状態で超電導となる
120
2010年 8月号テレビ向け新液晶材料 -明滅間隔を10倍高速化-九大
チッソ石油化学
日油
日経産業新聞
(2010年5月21日PP.9)
分子の並び方を工夫
色フィルタ不要
バックライト消費電力1/3
高分子安定化ブルー相(PSBP)
1/1000秒以下で液晶分子の向きを制御
40Vで駆動
直径100nmの円柱
120
250
2010年 8月号量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信富士通
東大
日刊工業新聞
(2010年5月21日PP.23)
従来比2.5倍
GaAs基板
InAsの量子ドット
600億個/cm2
量子ドット層8層
250
240
2010年 8月号地上デジタル放送の伝送容量を4倍にする技術NHK日本経済新聞
(2010年5月22日PP.13)
6MHzにHDを4番組放送
スーパーハイビジョン
1024QAM
垂直偏波と水平偏波を両方使用
540
2010年 8月号発光効率100%に近づける緑色LED京大日本経済新聞
(2010年5月24日PP.13)
フォトニック結晶
InGaN
波長500nm
効率従来比2〜3倍
250
120
2010年 8月号光の位相で多値化した次世代光ディスク -転送速度3倍に-日立日刊工業新聞
(2010年5月25日PP.1)
マイクロホログラム
位相多値記録再生方式
8値信号
230
2010年 8月号量子ドットで発光素子東京都市大日経産業新聞
(2010年5月25日PP.9)
Ge
円形構造
層内を円周方向に進み強め合う
120
250
2010年 8月号SEDテレビ開発凍結キヤノン日本経済新聞
(2010年5月25日PP.9)
表面電界ディスプレイ
業務用SED開発
250
2010年 8月号量子ドットを300層積層した半導体レーザ情通機構日刊工業新聞
(2010年5月26日PP.23)
日経産業新聞
(2010年5月27日PP.13)
温度調整装置が不要
80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功
120
250
2010年 8月号巻き取り可能な有機ELディスプレイソニー日経産業新聞
(2010年5月27日PP.5)
4.1型
厚さ0.08mm
回路の絶縁膜に有機材料を使用
0.02mm基板
有機TFT
半径4mmの棒に巻き取れる
121ppi
250
2010年 8月号電磁波を利用した無線給電シート東大日経産業新聞
(2010年5月28日PP.11)
縦50cm
横1m
10W
2.4GHz
250
350
2010年 8月号量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子東大日経産業新聞
(2010年5月31日PP.12)
Si基板上で微少なレーザ光を発振
InAsでできた直径20nmの「量子ドット」
長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子
120
250
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