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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2010年 9月号 | 液晶レーザ発振用有機材料 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2010年6月2日PP.22) | 液晶レーザ 従来比1/20の低エネルギー発振 甲虫の上羽構造 コレステリック液晶 | 150 250 |
2010年 9月号 | 世界最薄のプリント基板 | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2010年6月2日PP.1) | ベースプレート不要 厚さ0.34mm | 260 |
2010年 9月号 | 絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質 | 京大 理研 | 日経産業新聞 (2010年6月4日PP.11) | 超電導 三角形に並んだ特殊な分子構造 炭素 水素 パラジウム | 120 |
2010年 9月号 | 車載カメラによる歩行者認識を40%高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年6月9日PP.11) | 認識処理1/30秒 明暗認識 画像認識 | 620 310 520 |
2010年 9月号 | 日本の地上デジタル放送方式が中南米8カ国に続きフィリピンで採用 | 総務省 | 電波新聞 (2010年6月14日PP.1) | ISDB-T | 540 |
2010年 9月号 | zip比10倍のテキスト文書圧縮技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年6月15日PP.24) | XML CSV zipに比べて圧縮時間2倍以内 | 520 |
2010年 9月号 | Q値の劣化を半分にした可変インダクタ | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年6月16日PP.19) | 受動素子 4つのインダクターを2個ずつ並列に接続した回路構成 10〜20GHzの高周波領域で動作 高速光通信 ミリ波通信 | 220 |
2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
2010年 9月号 | 6Gbpsでデータ伝送可能な非接触メモリカード | 東大 慶応大 東芝 | 日刊工業新聞 (2010年6月21日PP.18) | 従来メモリーカード比7.5倍の伝送容量 電力伝送効率を従来比2倍以上の10% フラッシュメモリーの数24個 書込み速度60%向上 | 340 230 |
2010年 9月号 | テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタ | パナソニック | 日経産業新聞 (2010年6月23日PP.11) | 室温動作可能 GaN材料 | 220 |
2010年 9月号 | グラフェンで論理回路を形成 | 物材機構 筑波大 | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.12) | インバータ機能のグラフェン素子を試作 電圧ゲイン7以上 2V以下の低電圧で動作 | 120 220 |
2010年 9月号 | 寿命2倍電力半減のLED照明用電源IC | タキオン | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.1) | 15μsに1回電源ON/OFF 電解コンデンサ不要 | 220 |
2010年 9月号 | 美術品の色合いを忠実再現する画像処理技術 | NTT | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | 従来比2倍の精度 動画ディジタルアーカイブに応用 多層膜フィルタ利用 2台のカメラで計6色に分けて撮影 | 310 520 |
2010年 9月号 | 10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタ | パナソニック | 電波新聞 (2010年6月25日PP.1) | 半導体と強誘電体の界面伝導を利用 トランジスタとの一体化 結晶成長技術 | 220 |
2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
2010年 9月号 | 光による量子ホール効果を確認 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年6月29日PP.11) | GaAs AlGaAsを張り合わせた試料 -270℃に冷やし4〜6テスラの磁力を加え波長0.15〜0.6mmのテラヘルツ波を当てる | 120 |
2010年 9月号 | 酸化亜鉛LEDの輝度向上 | 東北大 ローム | 日経産業新聞 (2010年6月30日PP.11) | MBE法を応用 Mgを添加 紫外領域では輝度が従来比1万倍以上 | 250 160 |