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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
| 2011年12月号 | 導電率30のゴム | 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日経産業新聞 (2011年9月9日PP.10) | CNT | φ3nm 長さ数100μm 2倍に延ばしても導電性維持 120 |
| 2011年12月号 | 光インターコネクト用の超小型光源 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年9月16日PP.1) 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | シリコンフォトニクス光源 温度調節不要 長さ1mm 幅0.1mm(光源と光変調器合わせて) 光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構 | 220 240 |
| 2011年12月号 | シリコン光配線集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月19日PP.10) | チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2 各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積 | 220 240 |
| 2011年12月号 | グラフェンの構造制御技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | 多孔質素材 1μmのポリスチレン微粒子の表面にグラフェンを吸着させ クロロホルムの溶液に浸すと中空部分が規則的に並ぶ素材が生成 | 120 160 250 |
| 2011年12月号 | 市販の半導体レーザで「16値」高速光通信 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.1) | 80Gbpsの信号を320km伝送 位相積算回路 | 440 340 |
| 2011年12月号 | ゲルマニウム酸化物を使った透明な電子伝導体 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.18) | SrGeO3を使用 | 150 120 |
| 2011年12月号 | Na利用の蓄電池 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2011年9月21日PP.6) | ナトリウムイオン電池 正極にNa-Ni-Mn 負極にC 100回以上充放電確認 | 250 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年12月号 | 新しい鉄系超電導物質 | 岡山大 | 日経産業新聞 (2011年9月26日PP.11) | 臨界限界38K | Fe-Pt-As-Ca化合物 超電導層とスペーサ層を積層 120 |
| 2011年12月号 | Ge製基板作製技術 | 産総研 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年9月28日PP.20) | Geの単結晶層(10mm×10mm)をSi・ガラス・プラスチックなどの基板に転写できる | 120 160 |
| 2011年12月号 | 液化と固化の繰り返しが可能な有機材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月29日PP.23) | アゾベンゼンを環状に連結 紫外光で液化 熱で固化 | 160 |
| 2011年12月号 | 量子コンピュータ向け基本素子 | 東大 NTT | 日経産業新聞 (2011年9月29日PP.11) | GaAsの素子 スピンが情報の最小単位 量子もつれ | 220 |
| 2011年12月号 | 中村修二氏がエミー賞を受賞
-青色LED開発評価- | 米カルフォルニア大 | 日経Web版 (2011年9月29日) | 青色LED 技術・工学部門での日本人の受賞は初めて | 660 |