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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2012年 8月号 | 逆磁歪現象を利用した振動発電材料 | 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年5月1日PP.10) | 逆磁歪 Fe-Co合金 長さ0.2%変化で0.06V | 150 |
| 2012年 8月号 | 静電気を利用した物動かすディスプレイ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年5月2日PP.14) | アクチュエータ 1mm間隔で電極 電極を3本ごとにつないで3種類の電圧 | 250 |
| 2012年 8月号 | 小型省電力の光スイッチ | 慶応大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年5月8日PP.10) | 相変化材料(GeやSb) 長さ15.3μm幅1μmのスイッチを試作 | 240 |
| 2012年 8月号 | 伝導準位を正確に測定する装置 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年5月14日PP.18) | 光検出の分解能は0.3eV以下 誘電多層膜帯域通過フィルタ 光電子増倍管 屈折率の大きく異なる2つの薄膜を100層交互に重ねる 太陽電池等に使われる有機半導体 石英ガラスの光学素子 | 320 410 |
| 2012年 8月号 | 電気的結合力が強い高分子 | 分子研 | 日刊工業新聞 (2012年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2012年5月16日PP.7) | 六角形の規則構造 グラフェン基板上でドナー材料とアクセプタ材料を縮重合反応 ドナーはトリフェニレン(C18H12)誘導体 アクセプタにベンゾチアジアゾール | 150 |
| 2012年 8月号 | p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月16日PP.20) 160 (0年0月0日) | p型のGe | Fe 厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し スピン情報をFeからGeへ入力 ハンル効果 スピン情報80nm 120 220 |
| 2012年 8月号 | ICタグの位置を正確に測定する技術 | 電通大 | 日経産業新聞 (2012年5月18日PP.8) | RFID 位置測定の誤差が平均5.4mm 6秒で25個のタグの位置をまとめて測定 | 340 |
| 2012年 8月号 | 廃プリント基板のタンタル素子の選別・回収装置 | 産総研 日本エリーズマグネチックス | 日刊工業新聞 (2012年5月18日PP.20) | 最大95%の純度で回収 比重で電子素子を選別 均一に空気が流れるように管の構造を改良 | 460 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 8月号 | アルカリ性蒸気で発光するポリマー | 物材機構 JST | 日経産業新聞 (2012年5月22日PP.9) | ユーロピウム(Eu)と有機分子のポリマー アルカリ性蒸気で発光し酸性蒸気で消える 紫外線照射で発光 | 150 |
| 2012年 8月号 | 室温で作動する全固体ナトリウムイオン二次電池 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2012年5月23日PP.21) 日経産業新聞 (2012年5月23日PP.7) | 正極材料の重さ1gあたり約90mAh NaとPとSを270℃で加熱 直径1cm・厚さ1mmのボタン型を試作 充放電10回以上で劣化なし 正極にTiS 負極にNa-Sn合金 | 250 |
| 2012年 8月号 | ナトリウムイオン二次電池正極の活物質 | 長岡技科大 | 日刊工業新聞 (2012年5月23日PP.21) | ガラス結晶化法 50サイクル後の容量維持率96% | 150 |
| 2012年 8月号 | 高密度な酸化チタンメソ結晶 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2012年5月24日PP.21) | 直径30nm〜40nmの粒子の集合体 一辺3〜5μm・厚さ約100nmのシート状の構造 酸化チタンナノ結晶の超構造体 | 150 |
| 2012年 8月号 | 環境で応答が異なる新型素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年5月24日PP.11) | シナプスを模倣 硫化銅による原子スイッチ 真空中と大気中とで記憶動作異なる | 220 |
| 2012年 8月号 | 光当てるだけで傷修復 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月24日PP.21) | 光を当てると特性が変わるアゾベンゼンという化合物と 液晶 高分子の粒子を混ぜて調製 | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 全固体ナトリウムイオン電池材料 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年5月25日PP.10) 150 (0年0月0日) | 電解質の部分にNa | B N Hの化合物 結晶構造のすきまをNaイオンが動いて充放電 30〜50℃でNaイオンの通りやすさが従来の2万倍 120 |
| 2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 転送速度25Gbpsの光トランシーバー | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) | CPUと周辺素子間でやりとりするデータを高速・高帯域で転送 47.8×10×21.6mmサイズに8ch実装 | 240 |