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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2012年11月号 | 絶縁体を用いたデータ記憶用電子素子 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月3日PP.10) | 酸化バナジウム(VO) 1Vの電圧印加で電子が自由に動けるようになる | 120 |
| 2012年11月号 | CNT材料の導電性を液晶材料で制御 | 東大 筑波大 東工大 理研 | 日経産業新聞 (2012年8月6日PP.11) | ベンゼン環を含むトリフェニレン | 120 |
| 2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
| 2012年11月号 | 化合物型太陽電池の効率向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月8日PP.9) | InGaAsとGaAsPの400nm薄膜結晶層 25.2%の変換効率 幅3〜5μmの微細なギザギザ構造 | 250 |
| 2012年11月号 | スピンの向きを微小電流で制御 | 理研 東大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年8月8日PP.19) 日経産業新聞 (2012年8月23日PP.11) | FeGe化合物 -23〜-3℃かつ150mT磁界 φ70nmのスキルミオンの結晶を観察 スピンの渦巻きを形成 5A/cm2で渦巻きが動く 縦165μm 横100μm 厚さ100nm〜30μmの超小型素子 | 120 |
| 2012年11月号 | 砂糖の主成分 負極材に有効 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2012年8月13日PP.1) | ナトリウムイオン電池 スクロース 300mA/g 50回充放電しても容量低下しない FECを添加 | 150 120 |
| 2012年11月号 | 画像や実物体に人工触感 | 米ディズニーリサーチ | 日刊工業新聞 (2012年8月15日PP.13) | AR REVEL 人体に微小な交流電流を流し 皮膚の表面に振動する電場を作る 指の位置をカメラでとらえ PCが無線経由で制御回路に指示 | 620 250 |
| 2012年11月号 | 熱電素子併用し太陽電池の効率を5割向上 | 名大 中国電子科技大 | 日経産業新聞 (2012年8月17日PP.5) | 太陽電池の下に熱電素子を張り合わせる 複合材を挟むと発電効率13.8% 色素増感型 | 250 260 |
| 2012年11月号 | 絶縁体酸化物磁石の極性を電場のみで反転 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ジスプロシウム(Dy)・テルビウムフェライト -270.5℃で電場を加えて正負の電極を反転 | 120 |
| 2012年11月号 | 10兆分の1秒の高速撮影が可能な3次元計測システム | 京都工繊大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ディジタルホログラフィ 光源にフェムト秒パルスレーザを使用 中心波長800nmに対応し 画素ごとに独立させた偏光素子をカメラに搭載 | 430 660 |
| 2012年11月号 | 近接場光を用いたSi製受光素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月22日PP.7) | Si基板に微小な穴 1.3μm波長のレーザを照射すると1.3μm波長の光で電圧変換 長い波長を短い波長に変換することで処理できる波長幅を広げる | 110 210 120 |
| 2012年11月号 | SHVがテレビの国際規格
・一行 | NHK | 日本経済新聞 (2012年8月23日PP.1) 電波タイムズ (2012年8月29日PP.1) | ITU-R 7680×4320 120Fps 広色域 | 540 |
| 2012年11月号 | ダイヤモンド半導体を用いたFET | 東工大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年8月23日PP.19) | 高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体 | 220 |
| 2012年11月号 | 酸素イオン電池用電極材料 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月27日PP.17) | 電極の組成元素はCa・La・Fe・O 酸素の含有量大で正極・小で負極として動作 正極としての容量30mA 負極としての容量15mA 充放電10回でも安定動作 | 150 120 250 |
| 2012年11月号 | 糖を感知する素子 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 大きさ1mm角 厚さ10μm 糖の濃度に応じて点滅する速度が変わる | 210 |
| 2012年11月号 | 炭素・水素原子でカゴ状分子 | 名大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 半導体の性質 青色光を出す 内側に他の分子・原子を取り込める C120個・H78個で構成 直径2nmで内側に1.8nmの空間 | 120 |
| 2012年11月号 | 物体の光沢を自動調整する画像処理技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2012年8月29日PP.7) | 光の反射している部分を強調 | 520 |