Japanese only.
| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2014年 3月号 | 単層CNT量産 ・14と合わせる | 日本ゼオン | 日刊工業新聞 (2013年12月2日PP.1) | 次世代炭素材料CNTの商業生産，コスト従来比1/1000，スーパーグローブ法を利用，NECOと共同で純度99%以上の単層CNTの連続生産を可能に | 120 160 |
| 2014年 3月号 | バナジウム・リン・窒素化合物4.2Kで超電導状態 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年12月3日PP.19) | アンチポストペブスカイトという結晶構造，転移温度が化合物によって変化するメカニズムには結晶構造の2次元性が鍵 | 120 |
| 2014年 3月号 | 倍速で単結晶成長 | 産総研 太平洋セメント 屋久島電工 | 日刊工業新聞 (2013年12月4日PP.17) | 昇華再結晶法を利用，結晶成長速度は最大2.2mm/h | 120 |
| 2014年 3月号 | 高速・低電力で1億回書き換え可能な相変化素子 | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) 筑波大 | 日刊工業新聞 (2013年12月11日PP.20) | 超格子状の化合物を積層 低温で溶かさないで記録 | 230 |
| 2014年 3月号 | 低消費電力の書き換え可能な20nm素子 | 東北大 京大 | 日経産業新聞 (2013年12月11日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | 線幅20nm 磁性体にCo・Fe・Bを混ぜたものを使用 書き換え消費電力が数フェムトジュール | 230 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
| 2014年 3月号 | 光ファイバー1本で伝送速度100Gbps 4波長集積型光通信用送信モジュール | 三菱電機 | 電波新聞 (2013年12月19日PP.3) | 高速・大容量通信の光伝送装置 | 240 |
| 2014年 3月号 | 計測で応用できる画像合成を高精度にデータ処理する技術 | 京大 | 日刊工業新聞 (2013年12月19日PP.1) | データステッチング | 620 |
| 2014年 3月号 | 指で肌を押して機器操作 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2013年12月20日PP.9) | 赤外線センサ 腕輪型 マウスを代替 | 310 |
| 2014年 3月号 | 省電力次世代メモリー「IGZO」で1/10に | 半導体エネ研 | 日本経済新聞 (2013年12月24日PP.11) | IGZO | 230 |
| 2014年 3月号 | 有機薄膜太陽電池の発電動作解明 | 神戸大 JST | 日経産業新聞 (2013年12月24日PP.9) | マイクロ波で電子と正孔が生じる向きを調べる | 250 |
| 2014年 3月号 | 単層CNTの量産技術 ・1と合わせる | 産総研 名城ナノカーボン | 日刊工業新聞 (2013年12月26日PP.15) | φ1〜4nm 「eDIPS法」 従来の100倍速 | 160 120 |