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講演抄録/キーワード
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画素内二重保持容量を用いたグローバルシャッタCMOSイメージセンサ
榊原雅樹大池祐輔高塚挙文加藤昭彦本田勝巳田浦忠行町田貴志ソニー)・奥野 潤安藤厚博袋 武人朝妻智彦遠藤表徳山元純平中野泰弘金重琢巳ソニーセミコンダクター
抄録 (和) 従来のCMOSイメージセンサで発生していた,行順次露光に起因する動被写体歪の無い,グローバルシャッタ機能を搭載したCMOSイメージセンサを報告する.中間電圧転送により,フォトダイオードで発生した信号電荷を,適応的に第一保持容量(MEM)と第二保持容量(FD)に振り分け,それらの電荷を各々読み出す.信号読み出し回路は,従来のシングルスロープ型ADCの小面積の特徴を損なうことなく,FD部の信号読み出しに対応した.出力信号は,低ノイズかつダイナミックレンジを拡大するように適応加算の処理がされる.これにより画素内のMEM部の面積占有に伴う飽和信号の低下を補償し,83.0dBのダイナミックレンジを達成した. 
(英) In this paper, we report a Global-Shutter CMOS Image Sensor with no picture distortion which caused due to line-scanned exposure. The midpoint potential drive technique enables the signal adaptive separation to MEM and FD, respectively. These signals are readout by using same Single-Slope ADC(SS-ADC) with operation range adjustment technique. The additional ADC circuit area is enough small to maintain the SS-ADC advantages. The enhanced dynamic range of 83.0dB is achieved by appropriate signal processing without influence of kT/C noise.
キーワード (和) CMOSイメージセンサ / CDS / DRs / MEM / FD / グローバルシャッタ / 画素内保持部 / ダイナミックレンジ拡大  
(英) CMOS Image Sensor / CDS / DRS / MEM / FD / Global Shutter / In-Pixel Storage / Dynamic Range Enhancement  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST CE  
開催期間 2012-03-30 - 2012-03-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 固体撮像技術および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2012-03-IST-CE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 画素内二重保持容量を用いたグローバルシャッタCMOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Global-Shutter CMOS Image Sensor with In-Pixel Dual Storage 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOSイメージセンサ / CMOS Image Sensor  
キーワード(2)(和/英) CDS / CDS  
キーワード(3)(和/英) DRs / DRS  
キーワード(4)(和/英) MEM / MEM  
キーワード(5)(和/英) FD / FD  
キーワード(6)(和/英) グローバルシャッタ / Global Shutter  
キーワード(7)(和/英) 画素内保持部 / In-Pixel Storage  
キーワード(8)(和/英) ダイナミックレンジ拡大 / Dynamic Range Enhancement  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 榊原 雅樹 / Masaki Sakakibara / サカキバラ マサキ
第1著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大池 祐輔 / Yusuke Oike / オオイケ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高塚 挙文 / Takafumi Takatsuka / タカツカ タカフミ
第3著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 昭彦 / Akihiko Kato / カトウ アキヒコ
第4著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 勝巳 / Katsumi Honda / ホンダ カツミ
第5著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 田浦 忠行 / Tadayuki Taura / タウラ タダユキ
第6著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 町田 貴志 / Takashi Machida / マチダ タカシ
第7著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥野 潤 / Jun Okuno / オクノ ジュン
第8著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 厚博 / Atsuhiro Ando / アンドウ アツヒロ
第9著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 袋 武人 / Taketo Fukuro / フクロ タケト
第10著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 朝妻 智彦 / Tomohiko Asatsuma / アサツマ トモヒコ
第11著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 表徳 / Suzunori Endo / エンドウ スズノリ
第12著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 山元 純平 / Junpei Yamamoto / ヤマモト ジュンペイ
第13著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 泰弘 / Yasuhiro Nakano / ナカノ ヤスヒロ
第14著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 金重 琢巳 / Takumi Kaneshige / カネシゲ タクミ
第15著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター(株) (略称: ソニーセミコンダクター)
SONY Semiconductor Corporation (略称: SONY Semiconductor)
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講演者
発表日時 0000-00-00 00:00:00 
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申込先研究会 IST 
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