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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-28 14:40
ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 ~ 大気圧下、低温成長への挑戦 ~
川原村敏幸高知工大)・織田容征白幡孝洋TMEIC)・井川拓人伊藤大師京大院工)・吉田章男TMEIC)・藤田静雄京大院工)・平尾 孝高知工大
抄録 (和) 酸化マグネシウム(MgO)薄膜はディスプレイなどの保護膜や反射防止膜として、開発要望が高いが、現在その作製方法の大半は、真空状態で行う装置を用いなければならない手法である。これは、大気圧下で酸化マグネシウム(MgO)薄膜を作製する場合、500°C程度の高温状態が必要であり、ガラス基板へ直接成長が困難であるという理由が大きいからであると考えられる。そこで我々はミストデポジション法を用いてガラス基板上へ酸化マグネシウム(MgO)薄膜の作製を試みた。ミストデポジション法は、大気圧下で金属酸化物薄膜の成長が可能であり、これまでに酸化亜鉛(ZnO)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化錫(SnO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化鉄(Fe2O3)等の作製に成功している。本発表では、酸化マグネシウム(MgO)薄膜の作製方法や結晶性などについて報告する。 
(英) Magnesium oxide (MgO) thin film is useful as the protective film for plasma display and the antireflective film. Therefore, the development of method which can prepare the high quality MgO thin film with low utility cost and environment-friendly is very important. Currently, almost all of the fabrication methods of MgO thin film are the techniques operated with vacuum state. The reason is that the direct growth to the glass substrate is very difficult because the high temperature above 500 °C which is not suitable for glass substrate due to the near glass transition temperatures is necessary to prepare the MgO thin film under the atmospheric pressure. Then, we tried making MgO thin film on the glass substrate with mist deposition. Material oxide thin films such as zinc oxide, gallium oxide, tin oxide, indium oxide, ferric oxide, and so on, can be prepared at atmospheric pressure with mist deposition. In this conference, we report on the conditions and the preparations of MgO thin films.
キーワード (和) ミストデポジション / 酸化マグネシウム / 溶液プロセス / 大気圧 / 低温成長 / 高品質 / ガラス上 /  
(英) mist deposition / magnesium oxide / solution process / atmospheric pressure / low temperature / high quality crystalline / on glass /  
文献情報 映情学技報, vol. 35, no. 4, IDY2011-3, pp. 45-48, 2011年1月.
資料番号 IDY2011-3 
発行日 2011-01-21 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IDY IEICE-EID IEE-EDD IEIJ-OMD  
開催期間 2011-01-28 - 2011-01-29 
開催地(和) 高知工科大学 
開催地(英) Kochi University of Technology 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ 
テーマ(英) Emissive/Non-Emissive Displays 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2011-01-IDY-EID-EDD-OMD-JC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 
サブタイトル(和) 大気圧下、低温成長への挑戦 
タイトル(英) Growth of Magnesium Oxide (MgO) Thin Film with Mist Deposition. 
サブタイトル(英) Challenge to low temperature growth under the atmospheric pressure 
キーワード(1)(和/英) ミストデポジション / mist deposition  
キーワード(2)(和/英) 酸化マグネシウム / magnesium oxide  
キーワード(3)(和/英) 溶液プロセス / solution process  
キーワード(4)(和/英) 大気圧 / atmospheric pressure  
キーワード(5)(和/英) 低温成長 / low temperature  
キーワード(6)(和/英) 高品質 / high quality crystalline  
キーワード(7)(和/英) ガラス上 / on glass  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川原村 敏幸 / Toshiyuki Kawaharamura /
第1著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工大)
Research Institute for Nanodevices, Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 織田 容征 / Hiroyuki Orita / オリタ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 東芝三菱電機産業システム株式会社 (略称: TMEIC)
TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION (略称: TMEIC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 白幡 孝洋 / Takahiro Shirahata / シラハタ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 東芝三菱電機産業システム株式会社 (略称: TMEIC)
TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION (略称: TMEIC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井川 拓人 / Takuto Igawa / イガワ タクト
第4著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科 (略称: 京大院工)
Department of Electronic Engineering and Science, Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 大師 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科 (略称: 京大院工)
Department of Electronic Engineering and Science, Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 章男 / Akio Yoshida / ヨシダ アキオ
第6著者 所属(和/英) 東芝三菱電機産業システム株式会社 (略称: TMEIC)
TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION (略称: TMEIC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 静雄 / Shizuo Fujita / フジタ シズオ
第7著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科 (略称: 京大院工)
Department of Electronic Engineering and Science, Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 平尾 孝 / Takashi Hirao / ヒラオ タカシ
第8著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工大)
Research Institute for Nanodevices, Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. Tech.)
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講演者
発表日時 2011-01-28 14:40:00 
発表時間
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2011-3 
巻番号(vol) ITE-35 
号番号(no) no.4 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2011-01-21 


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