講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-13 15:30
300mmウェハサイズCMOSイメージセンサ ○小黒康裕・高橋秀和・山下雄一郎・菊池 伸・藤田雅人・平山 聡・加納大幹・橋本 栄・門間玄三・井上俊輔(キヤノン) |
抄録 |
(和) |
0.25um 1P3M CMOSプロセスを用いて,300mmシリコンウエハに202mm x 205mmのCMOSイメージセンサを開発した.画素サイズ:160um2,画素数:160万画素であり,画素内電圧ゲインアンプ,列差動読み出し回路を搭載している.これにより,高感度(25Me-/lx/s),低ノイズ(13e-rms)を実現しており,低輝度でも鮮明な画像を撮ることができる.本報告では,300mmウエハサイズCMOSイメージセンサの概要およびセンサ性能について述べる. |
(英) |
A 202×205 mm2, CMOS image sensor is fabricated on 300mm wafer in 0.25um 1P3M CMOS process. This sensor has 1.6M pixels, a programmable in pixel voltage amplifier, a differential readout circuitry on the column signal path. As a result, this sensor enables the low-noise and high sensitivity. In this paper, we describe the specifications and performance of the wafer-size CMOS image sensor. |
キーワード |
(和) |
CMOSイメージセンサ / ウエハサイズ / 高感度 / / / / / |
(英) |
CMOS image sensor / wafer-size / high sensitivity / / / / / |
文献情報 |
映情学技報, vol. 35, no. 17, IST2011-14, pp. 19-22, 2011年5月. |
資料番号 |
IST2011-14 |
発行日 |
2011-05-06 (IST, CE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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