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講演抄録/キーワード
講演名 2014-09-29 14:00
湾曲CMOSイメージセンサ
江崎孝之糸長総一郎ソニー)・有村季幸松本圭司ソニー大分)・近藤悟郎ソニー熊本)・寺畑和秀牧元晋作馬場雅和本田耕功母里正剛甲斐 亮笠原恵樹ソニー大分)・長野光浩木村真幸木下欣紀ソニー熊本
抄録 (和) 平面型のBISに対して,イメージサークルの中心で感度2倍,端で感度1.4倍,5分の1の低暗電流(Jd)を実現する,半球状に湾曲した裏面照射型CMOSイメージセンサ(BIS)と一体設計されたレンズで構成される究極の撮像システムを実現した.像面湾曲収差(Afc)は,湾曲センサの形状そのもので原理的に克服され,湾曲BISは平面型BISよりF値(Fn)の小さな明るいレンズを使用できるため,システム全体の感度を高めることを可能とする.同時に,湾曲形状を生成するBISチップの引張り応力を制御することで,エネルギーバンドギャップ(Eg) を広げて低暗電流(Jd)特性を得た. 
(英) We realized an ultimately advanced imaging system that comprises a hemi-spherically curved, back-illuminated
CMOS image sensor (BIS) and integrated lens which doubles the sensitivity at the edge of the image circle and increases the sensitivity at the center of the image circle by a factor of 1.4 with one-fifth lower dark current (Jd) than that of a planar BIS. Because the lens field curvature aberration (Afc) was overcome in principle by the curved sensor itself, the curved BIS enables higher system sensitivity through design of a brighter lens with a smaller F number (Fn) than is possible with a planar BIS. At the same time, we controlled the tensile stress of the BIS chip to produce a curved shape that widens the energy band-gap (Eg) to obtain a lower Jd.
キーワード (和) 湾曲 / 湾曲型 / CMOSイメージセンサ / 裏面照射 / 表面照射 / 低暗電流 / 応力 / 撮像システム  
(英) Curve / CMOS Image Sensor / Back-illuminated / Front-illuminated / Low dark current / Stress / Imaging system /  
文献情報 映情学技報, vol. 38, no. 37, IST2014-41, pp. 1-4, 2014年9月.
資料番号 IST2014-41 
発行日 2014-09-22 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2014-09-29 - 2014-09-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) イメージセンサおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2014-09-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 湾曲CMOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Novel Curved CMOS Image Sensor Integrated with Imaging System 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 湾曲 / Curve  
キーワード(2)(和/英) 湾曲型 / CMOS Image Sensor  
キーワード(3)(和/英) CMOSイメージセンサ / Back-illuminated  
キーワード(4)(和/英) 裏面照射 / Front-illuminated  
キーワード(5)(和/英) 表面照射 / Low dark current  
キーワード(6)(和/英) 低暗電流 / Stress  
キーワード(7)(和/英) 応力 / Imaging system  
キーワード(8)(和/英) 撮像システム /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 江崎 孝之 / Takayuki Ezaki / エザキ タカユキ
第1著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
SONY corporation (略称: SONY)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 糸長 総一郎 / Kazuichiro Itonaga / イトナガ カズイチロウ
第2著者 所属(和/英) ソニー(株) (略称: ソニー)
SONY corporation (略称: SONY)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 有村 季幸 / Toshiyuki Arimura / アリムラ トシユキ
第3著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 圭司 / Keiji Matsumoto / マツモト ケイジ
第4著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 悟郎 / Goro Kondo / コンドウ ゴロウ
第5著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター熊本 (略称: ソニー熊本)
Sony Semiconductor Kumamoto (略称: Sony Kumamoto)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺畑 和秀 / Kazuhide Terahata / テラハタ カズヒデ
第6著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧元 晋作 / Makimoto Shinsaku / マキモト シンサク
第7著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬場 雅和 / Masakazu Baba / ババ マサカズ
第8著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 耕功 / Yasunori Honda / ホンダ ヤスノリ
第9著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 母里 正剛 / Seigo Bori / ボリ セイゴウ
第10著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 甲斐 亮 / Toru Kai / カイ トオル
第11著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠原 恵樹 / Keijyu Kasahara / カサハラ ケイジュ
第12著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター大分 (略称: ソニー大分)
Sony Semiconductor Oita (略称: Sony Oita)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 長野 光浩 / Mitsuhiro Nagano / ナガノ ミツヒロ
第13著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター熊本 (略称: ソニー熊本)
Sony Semiconductor Kumamoto (略称: Sony Kumamoto)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 真幸 / Masayuki Kimura / キムラ マサユキ
第14著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター熊本 (略称: ソニー熊本)
Sony Semiconductor Kumamoto (略称: Sony Kumamoto)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 欣紀 / Yoshinori Kimura / キノシタ ヨシノリ
第15著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクター熊本 (略称: ソニー熊本)
Sony Semiconductor Kumamoto (略称: Sony Kumamoto)
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講演者
発表日時 2014-09-29 14:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2014-41 
巻番号(vol) ITE-38 
号番号(no) no.37 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2014-09-22 


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