| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2014-09-29 14:00
湾曲CMOSイメージセンサ
○江崎孝之・糸長総一郎（ソニー）・有村季幸・松本圭司（ソニー大分）・近藤悟郎（ソニー熊本）・寺畑和秀・牧元晋作・馬場雅和・本田耕功・母里正剛・甲斐 亮・笠原恵樹（ソニー大分）・長野光浩・木村真幸・木下欣紀（ソニー熊本） |
| 抄録 |
（和） |
平面型のBISに対して，イメージサークルの中心で感度2倍，端で感度1.4倍，5分の1の低暗電流(Jd)を実現する，半球状に湾曲した裏面照射型CMOSイメージセンサ(BIS)と一体設計されたレンズで構成される究極の撮像システムを実現した．像面湾曲収差(Afc)は，湾曲センサの形状そのもので原理的に克服され，湾曲BISは平面型BISよりF値（Fn）の小さな明るいレンズを使用できるため，システム全体の感度を高めることを可能とする．同時に，湾曲形状を生成するBISチップの引張り応力を制御することで，エネルギーバンドギャップ(Eg) を広げて低暗電流(Jd)特性を得た． |
| （英） |
We realized an ultimately advanced imaging system that comprises a hemi-spherically curved, back-illuminated
CMOS image sensor (BIS) and integrated lens which doubles the sensitivity at the edge of the image circle and increases the sensitivity at the center of the image circle by a factor of 1.4 with one-fifth lower dark current (Jd) than that of a planar BIS. Because the lens field curvature aberration (Afc) was overcome in principle by the curved sensor itself, the curved BIS enables higher system sensitivity through design of a brighter lens with a smaller F number (Fn) than is possible with a planar BIS. At the same time, we controlled the tensile stress of the BIS chip to produce a curved shape that widens the energy band-gap (Eg) to obtain a lower Jd. |
| キーワード |
（和） |
湾曲 / 湾曲型 / ＣＭＯＳイメージセンサ / 裏面照射 / 表面照射 / 低暗電流 / 応力 / 撮像システム |
| （英） |
Curve / CMOS Image Sensor / Back-illuminated / Front-illuminated / Low dark current / Stress / Imaging system / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 38, no. 37, IST2014-41, pp. 1-4, 2014年9月. |
| 資料番号 |
IST2014-41 |
| 発行日 |
2014-09-22 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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