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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-05 11:00
基板加熱成膜により作製したCoPtCr-SiO2グラニュラ媒体の成長組織および磁気特性
日向慎太朗東北大)・タム キムコングTKK)・齊藤 伸東北大
抄録 (和) 凹凸Ru下地層上に作製されるCoPtCr-SiO2グラニュラ媒体中の垂直磁気異方性エネルギーKu⊥増大のため,磁性結晶粒の原子拡散促進を意図してグラニュラ媒体の基板加熱成膜を試みた.その結果,基板温度Tsub = 343 oC にて成膜した媒体では,まず表面が平坦となったRu下地上に,層状に磁性結晶粒がヘテロエピタキシャル成長し,その上に,SiO2で被覆された球状の磁性結晶粒が結晶方位をランダムに配向させて析出した組織が形成されることが判明した.さらに凹凸Ru層の平坦化要因を調べたところ,平坦化はRu層中に取り込まれていた酸素原子が加熱により脱離することが誘因となってRu結晶粒が再結晶化することにより生じることが確かめられた.これらのことから,高基板温度下でコラム状成長した磁性結晶粒からなるグラニュラ媒体を得るためには,Ru層からの酸素脱離の抑制が肝要であり,実際に凹凸 Ru下地層上にバッファ層としてCoCr-SiO2層を積層してから磁性層の基板加熱成膜を実施することによって,Tsub = 380 oCまでの高温加熱成膜でもコラム状組織を得ることに成功した. 
(英) Application of substrate heating during deposition of CoPtCr-SiO2 granular medium on a bumpy-surface Ru underlayer to increase perpendicular anisotropy energy Ku⊥ of the media by promoting atomic diffusion in magnetic grains was investigated. At substrate temperature Tsub = 343 oC, magnetic grains epitaxially grew on a flat-surface Ru underlayer. And randomly oriented spherical magnetic grains surrounded by SiO2 were segregated on it. Reason of the surface flattening of the bumpy Ru underlayer was recrystallization of Ru grains promoted by desorption of oxygen from Ru grains. To prevent the oxygen desorption and the recrystallization, CoCr-SiO2 buffer layer was introduced onto the Ru underlayer. Consequently, the bumpy surface morphology of the underlayer is maintained and columnar growth of the granular layer was realized under Tsub < 380 oC.
キーワード (和) CoPtCr-SiO2 / Ru / グラニュラ媒体 / 一軸結晶磁気異方性 / 基板加熱成膜 / / /  
(英) CoPtCr-SiO2 / Ru / granular media / uniaxial magnetocrystalline anisotropy / heating substrate deposition / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-MRIS MMS  
開催期間 2015-06-04 - 2015-06-05 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) 記録システム,一般 
テーマ(英) Recording Systems, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-MRIS 
会議コード 2015-06-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 基板加熱成膜により作製したCoPtCr-SiO2グラニュラ媒体の成長組織および磁気特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Microstructure and magnetic properties of CoPtCr-SiO2 granular media deposited at high substrate temperature 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CoPtCr-SiO2 / CoPtCr-SiO2  
キーワード(2)(和/英) Ru / Ru  
キーワード(3)(和/英) グラニュラ媒体 / granular media  
キーワード(4)(和/英) 一軸結晶磁気異方性 / uniaxial magnetocrystalline anisotropy  
キーワード(5)(和/英) 基板加熱成膜 / heating substrate deposition  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 日向 慎太朗 / Shintaro Hinata / ヒナタ シンタロウ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) タム キムコング / Kim Kong Tham / タム キムコング
第2著者 所属(和/英) 田中貴金属工業株式会社 (略称: TKK)
Tanaka Kikinzoku Kogyo K. K. (略称: TKK)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 伸 / Shin Saito / サイトウ シン
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2015-06-05 11:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-MRIS 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-39 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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