| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2016-03-11 15:55
超高速および高電圧イメージセンサのデバイス・シミュレーション
○武藤秀樹（リンク・リサーチ） |
| 抄録 |
（和） |
超高速および高電圧イメージセンサのデバイス・シミュレーションのための物理モデルおよびアルゴリズムについて報告する．超高速イメージセンサの解析においては，ゲート電極によって発生する電磁場の伝播遅延が無視できない．電磁場の伝播と電荷の生成を同時に考慮するために，量子電磁力学で導入された中西-ロートラップ場と等価な電荷生成消滅場を導入し，FDTD 法を用いて電磁場の伝播を計算する．また，35 V を超える電圧を電極に印加する高電圧イメージセンサを解析する場合には，ほとんど全ての変数に関して４倍精度実数を用いる．それぞれの有効性を示すため，いくつかの計算例について報告する． |
| （英） |
Physical models and algorithms for use in device simulations of ultrahigh-speed and high-voltage image sensors are reported. In the analyses of ultrahigh-speed image sensors, propagation of the electromagnetic field induced by electrodes cannot be ignored. To obtain consistent basic equations for both the device and electromagnetic field propagation simulations, we introduce a charge creation-annihilation field, which is almost equivalent to the Nakanishi-Lautrup field of quantum electrodynamics. To perform current analyses for high-voltage image sensors with applied voltages of >35 V, we adopt quad precision numbers for all parameters. The models, algorithms, and some computational results are reported. |
| キーワード |
（和） |
高速イメージセンサ / 高電圧イメージセンサ / デバイス・シミュレーション / 電荷生成 / 伝播遅延 / 中西-ロートラップ場（NL場） / / |
| （英） |
High-Speed Image Sensor / High-Voltage Image Sensor / Device Simulation / Carrier Generation / Field Propagation / Nakanishi-Lautrup (NL) Field / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 40, no. 12, IST2016-18, pp. 45-48, 2016年3月. |
| 資料番号 |
IST2016-18 |
| 発行日 |
2016-03-04 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IST |
| 開催期間 |
2016-03-11 - 2016-03-11 |
| 開催地（和） |
ＮＨＫ技研講堂 |
| 開催地（英） |
NHK Research Lab (Setagaya) |
| テーマ（和） |
固体撮像技術および一般 |
| テーマ（英） |
Solid state image sensors, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IST |
| 会議コード |
2016-03-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
超高速および高電圧イメージセンサのデバイス・シミュレーション |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Device Simulations for Ultrahigh-Speed and High-Voltage Image Sensors |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
高速イメージセンサ / High-Speed Image Sensor |
| キーワード(2)（和/英） |
高電圧イメージセンサ / High-Voltage Image Sensor |
| キーワード(3)（和/英） |
デバイス・シミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(4)（和/英） |
電荷生成 / Carrier Generation |
| キーワード(5)（和/英） |
伝播遅延 / Field Propagation |
| キーワード(6)（和/英） |
中西-ロートラップ場（NL場） / Nakanishi-Lautrup (NL) Field |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
武藤 秀樹 / Hideki Mutoh / ムトウ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
リンク・リサーチ株式会社 (略称： リンク・リサーチ)
Link Research Corporation (略称： Link Research) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第2著者 所属（和/英） |
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| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2016-03-11 15:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
IST |
| 資料番号 |
IST2016-18 |
| 巻番号（vol） |
vol.40 |
| 号番号（no） |
no.12 |
| ページ範囲 |
pp.45-48 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2016-03-04 (IST) |