講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-05-06 13:05
[ポスター講演]シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ ○Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva・幸田安真・那須野悟史・黒田理人・須川成利(東北大) |
抄録 |
(和) |
ドーパントの濃度プロファイルを調整することで,紫外線高感度PDと紫外線低感度PDの2種類のPDを受光素子内に作り込み,それらの分光感度差からSiのみで紫外線を検出するセンサを作製した.試作したセンサにより,310 nmの紫外線に対して0.132 A/Wの感度,500 nmより長い波長に対して0.014 A/W以下の残留感度を有する,紫外線に対して選択性の高い感度スペクトルを得た.本稿では,開発した分光感度差分型紫外線センサの原理,作製方法と測定結果について論じる. |
(英) |
A bulk-Si ultraviolet radiation sensor was developed by extracting the differential spectral response of a high UV sensitivity and a low UV sensitivity photodiodes. Both types of photodiodes were fabricated together in the same chip, by adjusting the dopant concentration profiles. The developed sensor showed a sensitivity of 0.132 A/W at 310 nm and a residual sensitivity lower than 0.014 A/W for wavelengths longer than 500 nm. In this paper, the operating principle of this sensor, its fabrication method and the measurement results are discussed. |
キーワード |
(和) |
紫外線センサ / 分光差分 / バルクシリコン / 紫外線 / フォトダイオード / / / |
(英) |
Ultraviolet radiation sensor / Differential spectral response / Bulk-Si / Ultraviolet / Photodiode / / / |
文献情報 |
映情学技報, vol. 40, no. 15, IST2016-22, pp. 5-8, 2016年5月. |
資料番号 |
IST2016-22 |
発行日 |
2016-04-29 (IST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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