研究会情報 |
研究会 |
IEICE-MRIS MMS |
開催期間 |
2016-07-08 - 2016-07-08 |
開催地(和) |
中央大学 |
開催地(英) |
Chuo Univ. |
テーマ(和) |
固体メモリ・媒体,一般 |
テーマ(英) |
Solid State Memory, Media, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
IEICE-MRIS |
会議コード |
2016-07-MR-MMS |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
酸化物薄膜中のカチオン伝導を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリ |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Atomic switch-type resistance change memory based on cation transport in oxide thin films |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鶴岡 徹 / Tohru Tsuruoka / ツルオカ トオル |
第1著者 所属(和/英) |
物質・材料研究機構 (略称: 物材機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-07-08 14:55:00 |
発表時間 |
50分 |
申込先研究会 |
IEICE-MRIS |
資料番号 |
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巻番号(vol) |
vol.40 |
号番号(no) |
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ページ範囲 |
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ページ数 |
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発行日 |
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