磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/Mn3Ge二層構造による垂直磁化膜

薮下,大嗣; 松下,直輝; 高村,陽太; 園部,義明; 中川,茂樹

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講演名		2017-07-07 13:25 磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/Mn3Ge二層構造による垂直磁化膜 ○薮下大嗣・松下直輝・高村陽太（東工大）・園部義明（サムスン日本研究所）・中川茂樹（東工大）
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文献情報		映情学技報
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研究会情報
研究会	IEICE-MRIS MMS
開催期間	2017-07-07 - 2017-07-07
開催地（和）	東京工業大学
開催地（英）	Tokyo Tech
テーマ（和）	固体メモリ・媒体，一般
テーマ（英）	Solid State Memory, Media, etc.
講演論文情報の詳細
申込み研究会	IEICE-MRIS
会議コード	2017-07-MR-MMS
本文の言語	日本語
タイトル（和）	磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/Mn3Ge二層構造による垂直磁化膜
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Co2FeSi/Mn3Ge bilayered films with perpendicular magnetic anisotropy for magnetic tunnel junction
サブタイトル（英）
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第1著者氏名（和/英/ヨミ）	薮下大嗣 / Taishi Yabushita / ヤブシタタイシ
第1著者所属（和/英）	東京工業大学 (略称：東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech)
第2著者氏名（和/英/ヨミ）	松下直輝 / Naoki Matsushita / マツシタナオキ
第2著者所属（和/英）	東京工業大学 (略称：東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech)
第3著者氏名（和/英/ヨミ）	高村陽太 / Yota Takamura / タカムラヨウタ
第3著者所属（和/英）	東京工業大学 (略称：東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech)
第4著者氏名（和/英/ヨミ）	園部義明 / Yoshiaki Sonobe / ソノベヨシアキ
第4著者所属（和/英）	サムスン日本研究所 (略称：サムスン日本研究所) Samsung R&D Institute Japan (略称： Samsung R&D Institute Japan)
第5著者氏名（和/英/ヨミ）	中川茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワシゲキ
第5著者所属（和/英）	東京工業大学 (略称：東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech)
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講演者	第1著者
発表日時	2017-07-07 13:25:00
発表時間	25分
申込先研究会	IEICE-MRIS
資料番号
巻番号（vol）	vol.41
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日

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