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講演抄録/キーワード
講演名 2017-08-01 09:00
[招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM
小林正治東大)・上山 望平本俊郎東大生研
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-ICD IST  
開催期間 2017-07-31 - 2017-08-02 
開催地(和) 北海道大学情報教育館 
開催地(英) Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用  
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2017-07-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Nonvolatile SRAM Integrated with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally-Off Operation 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 望 / Nozomu Ueyama / ウエヤマ ノゾム
第2著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大生研)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第3著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大生研)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2017-08-01 09:00:00 
発表時間 45 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-41 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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