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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-25 14:30
Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
池口 翼荒牧達也龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
抄録 (和) RFマグネトロンスパッタリング装置を用いてGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,成膜圧力及び結晶構造が熱電特性に与える影響を調査した.その結果,成膜圧力を低くすることで熱電特性及び電気的特性が向上した.また,350度1時間のアニール処理を施した素子が最も熱電特性が良く,微結晶となっていることが確認できた.今後,GTOの組成比を制御することで,熱電特性が向上すると考えられる. 
(英) Ga-Sn-O(GTO) thin films were formed using RF magnetron sputtering, and the influence of deposition pressure and crystal structure on thermoelectric properties was investigated. As a result, thermoelectric properties and electrical characteristics were improved by reducing deposition pressure. In addition, it was confirmed that the device subjected to the annealing treatment at 350 degrees for 1 hour had the best thermoelectric properties and was microcrystalline. It is considered that thermoelectric properties are improved by controlling the composition ratio of GTO.
キーワード (和) 熱電 / Ga-Sn-O (GTO) / 酸化物半導体 / 微結晶 / / / /  
(英) Thermoelectric / Ga-Sn-O (GTO) / Oxide Semiconductor / Microcrystal / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 42, no. 45, IDY2018-59, pp. 33-36, 2018年12月.
資料番号 IDY2018-59 
発行日 2018-12-18 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IEICE-EID IEICE-SDM IDY  
開催期間 2018-12-25 - 2018-12-25 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2018-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Dependence of thermoelectric properties and structure of Ga-Sn-O thin films on annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱電 / Thermoelectric  
キーワード(2)(和/英) Ga-Sn-O (GTO) / Ga-Sn-O (GTO)  
キーワード(3)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor  
キーワード(4)(和/英) 微結晶 / Microcrystal  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池口 翼 / Yoku Ikeguchi / イケグチ ヨク
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒牧 達也 / Tatsuya Aramaki / アラマキ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅田 鉄馬 / Kenta Umeda / ウメダ ケンタ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 是友 大地 / Daichi Koretomo / コレトモ ダイチ
第5著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 曲 勇作 / Yusaku Magari / マガリ ユウサク
第6著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル
第7著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第8著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者
発表日時 2018-12-25 14:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2018-59 
巻番号(vol) ITE-42 
号番号(no) no.45 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2018-12-18 


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