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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-07 14:15
二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
浅井栄大張 文馨岡田直也福田浩一入沢寿史産総研
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-ICD IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) TCAD analysis of the fringe-field effect on transfer characteristics of 2D channel FET 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 文馨 / Wen Hsin Chang / Wen Hsin Chang
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 直也 / Naoya Okada / オカダ ナオヤ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koich Fukuda / フクダ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 入沢 寿史 / Toshifumi Irisawa / イリサワ トシフミ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2019-08-07 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-43 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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