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講演名 2019-08-09 14:10
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の固定電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-ICD IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の固定電荷と基板バイアスの影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢吹 亘 / Wataru Yabuki / ヤブキ ワタル
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-08-09 14:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol.43 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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