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講演抄録/キーワード
講演名 2020-08-07 11:25
Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope
Min-Ju AhnTakuya SarayaMasaharu KobayashiToshiro HiramotoIIS, Tokyo Univ.
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2020-08-06 - 2020-08-07 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2020-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Min-Ju Ahn / Min-Ju Ahn /
第1著者 所属(和/英) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Takuya Saraya / Takuya Saraya /
第2著者 所属(和/英) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Masaharu Kobayashi / Masaharu Kobayashi /
第3著者 所属(和/英) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Toshiro Hiramoto / Toshiro Hiramoto /
第4著者 所属(和/英) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称: IIS, Tokyo Univ.)
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講演者
発表日時 2020-08-07 11:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-44 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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