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講演抄録／キーワード
講演名
2021-08-18 11:00
［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～
○
トープラサートポン カシディット
・
田原建人
（
東大
）・
彦坂幸信
・
中村 亘
・
齋藤 仁
（
富士通セミコンダクターメモリソリューション
）・
竹中 充
・
高木信一
（
東大
）
抄録
（和）
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（英）
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キーワード
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文献情報
映情学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
IEICE-SDM IEICE-ICD IST
開催期間
2021-08-17 - 2021-08-18
開催地（和）
オンライン開催
開催地（英）
Online
テーマ（和）
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IEICE-SDM
会議コード
2021-08-SDM-ICD-IST
本文の言語
日本語
タイトル（和）
低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証
サブタイトル（和）
微細技術ノードの混載メモリへの展開
タイトル（英）
Demonstration of HfO2-based ferroelectric ultra-thin films with low operating voltage, low process temperature, and high endurance
サブタイトル（英）
Toward embedded memory in advanced technology nodes
キーワード(1)（和/英）
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キーワード(8)（和/英）
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ）
トープラサートポン カシディット
/
Kasidit Toprasertpong
/
トープラサートポン カシディット
第1著者 所属（和/英）
東京大学
(略称：
東大
)
The University of Tokyo
(略称：
Univ. Tokyo
)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ）
田原 建人
/
Kento Tahara
/
タハラ ケント
第2著者 所属（和/英）
東京大学
(略称：
東大
)
The University of Tokyo
(略称：
Univ. Tokyo
)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ）
彦坂 幸信
/
Yukinobu Hikosaka
/
ヒコサカ ユキノブ
第3著者 所属（和/英）
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社
(略称：
富士通セミコンダクターメモリソリューション
)
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
(略称：
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ）
中村 亘
/
Ko Nakamura
/
ナカムラ コウ
第4著者 所属（和/英）
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社
(略称：
富士通セミコンダクターメモリソリューション
)
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
(略称：
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ）
齋藤 仁
/
Hitoshi Saito
/
ヒトシ サイトウ
第5著者 所属（和/英）
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社
(略称：
富士通セミコンダクターメモリソリューション
)
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
(略称：
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ）
竹中 充
/
Mitsuru Takenaka
/
タケナカ ミツル
第6著者 所属（和/英）
東京大学
(略称：
東大
)
The University of Tokyo
(略称：
Univ. Tokyo
)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ）
高木 信一
/
Shinichi Takagi
/
タカギ シンイチ
第7著者 所属（和/英）
東京大学
(略称：
東大
)
The University of Tokyo
(略称：
Univ. Tokyo
)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第8著者 所属（和/英）
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第31著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第32著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第33著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第33著者 所属（和/英）
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第34著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第34著者 所属（和/英）
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第35著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第35著者 所属（和/英）
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第36著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第36著者 所属（和/英）
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講演者
第1著者
発表日時
2021-08-18 11:00:00
発表時間
45分
申込先研究会
IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）
vol.45
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日
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