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講演抄録/キーワード
講演名 2022-06-10 13:30
[招待講演]酸素ビーム照射を用いて作製された抵抗変化型メモリ
大野武雄大分大
抄録 (和) 抵抗変化型メモリはイオン伝導現象と電気化学反応を動作原理とした次世代不揮発性メモリの一つである.この構造中で用いられる金属酸化膜にはナノメートル厚さでかつ高い電気抵抗が要求される.本報告では,金属酸化膜の新しい形成手法として中性な酸素ビーム照射を用いた金属酸化プロセスを提案する.金属タンタル 膜への酸素ビーム照射により数ナノメートル厚さの酸化タンタル膜を形成し,それを抵抗変化型メモリのイオン 伝導体層として用いたときのメモリ特性を評価した.また,同手法により形成した白金酸化膜を持つスピン軌道トルク発生デバイスについても報告する. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ / 中性酸素ビーム / 金属酸化 / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 46, no. 16, MMS2022-38, pp. 31-35, 2022年6月.
資料番号 MMS2022-38 
発行日 2022-06-02 (MMS) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893    Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-MRIS MMS  
開催期間 2022-06-09 - 2022-06-10 
開催地(和) 東北大(通研) 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ. 
テーマ(和) 記録システム・ヘッド・媒体+一般 
テーマ(英) Recording system, Head, Media, and Others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MMS 
会議コード 2022-06-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸素ビーム照射を用いて作製された抵抗変化型メモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of Resistive RAM Using Oxygen Beam Irradiation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ /  
キーワード(2)(和/英) 中性酸素ビーム /  
キーワード(3)(和/英) 金属酸化 /  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 武雄 / Takeo Ohno / オオノ タケオ
第1著者 所属(和/英) 大分大学 (略称: 大分大)
Oita University (略称: Oita Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-06-10 13:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 MMS 
資料番号 MMS2022-38 
巻番号(vol) vol.46 
号番号(no) no.16 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数
発行日 2022-06-02 (MMS) 


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