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講演抄録／キーワード
講演名 2023-08-01 16:35
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
○李　龍聖・森　貴之（金沢工大）・岡　博史・森　貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大）
抄録 （和） (まだ登録されていません) 
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2023-08-01 - 2023-08-03 
開催地（和） 北海道大学 
開催地（英）  
テーマ（和） アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ（英） Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2023-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Analysis of back bias effects and history phenomena in cryo 200nm SOIMOSFETs 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 李 龍聖 / Ryusei Ri / リ リュウセイ
第1著者 所属（和/英） 金沢工業大学 (略称： 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第2著者 所属（和/英） 金沢工業大学 (略称： 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ
第3著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ
第4著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第5著者 所属（和/英） 金沢工業大学 (略称： 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-08-01 16:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol.47 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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