講演抄録/キーワード |
講演名 |
2024-01-25 13:10
[ポスター講演]三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演] ○阿部祥也・谷内田健太・澤井一輝・木村 睦・河西秀典(龍谷大)・松田時宜(近畿大) |
抄録 |
(和) |
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)であるGTOを用いたReRAMを作製し評価することで、低コストかつ大量生産が可能である新規アプリケーションの可能性を示すことを目的とする。本研究では三層の抵抗値の異なるGTOを体積させたReRAMの作製を行い、電気的特性を評価した。すると、ユニポーラ、バイポーラとは異なる負性抵抗含む抵抗変化の挙動を示した。また、アナログ的な特性が得られ、スイッチング比が向上し、ニューロモルフィックへの応用の可能性を示した。 |
(英) |
ReRAMs have attracted much attention due to their high integration, stability, high-speed operation, and low cost. Therefore, the purpose of this study is to fabricate and evaluate ReRAM using Ga-Sn-O(GTO), an amorphous oxide semiconductor (AOS), to demonstrate its potential for new applications that are low-cost and can be mass-produced. In this study, we fabricated the ReRAM with three-layer of GTO stacked with different resistance values and evaluated their electrical characteristics. The ReRAM exhibited resistance change behavior including negative resistance that was different from unipolar and bipolar systems. In addition, analog-like characteristics were obtained and the switching ratio was improved, indicating the potential for neuromorphic applications. |
キーワード |
(和) |
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(英) |
ReRAM / GTO / Amorphous oxide semiconductor (AOS) / / / / / |
文献情報 |
映情学技報 |
資料番号 |
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発行日 |
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ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
IEICE-EID IDY IEE-EDD SID-JC IEIJ-SSL |
開催期間 |
2024-01-25 - 2024-01-26 |
開催地(和) |
龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
IEICE-EID |
会議コード |
2024-01-EID-IDY-EDD-JC-SSL |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演] |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Resistance change behavior using negative resistance in ReRAM with three-layer GTO [Poster Presentation] |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
/ ReRAM |
キーワード(2)(和/英) |
/ GTO |
キーワード(3)(和/英) |
/ Amorphous oxide semiconductor (AOS) |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
阿部 祥也 / Yoshiya Abe / アベ ヨシヤ |
第1著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
谷内田 健太 / Kenta Yachida / ヤチダ ケンタ |
第2著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
澤井 一輝 / Kazuki Sawai / サワイ カズキ |
第3著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
第4著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
河西 秀典 / Hidenori Kawanishi / カワニシ ヒデノリ |
第5著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / |
第6著者 所属(和/英) |
近畿大学 (略称: 近畿大)
Kindai University (略称: Kindai Univ.) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第36著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2024-01-25 13:10:00 |
発表時間 |
5分 |
申込先研究会 |
IEICE-EID |
資料番号 |
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巻番号(vol) |
vol.48 |
号番号(no) |
no.1 |
ページ範囲 |
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ページ数 |
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発行日 |
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