| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2024-01-25 13:10
［ポスター講演］三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演]
○阿部祥也・谷内田健太・澤井一輝・木村 睦・河西秀典（龍谷大）・松田時宜（近畿大） |
| 抄録 |
（和） |
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)であるGTOを用いたReRAMを作製し評価することで、低コストかつ大量生産が可能である新規アプリケーションの可能性を示すことを目的とする。本研究では三層の抵抗値の異なるGTOを体積させたReRAMの作製を行い、電気的特性を評価した。すると、ユニポーラ、バイポーラとは異なる負性抵抗含む抵抗変化の挙動を示した。また、アナログ的な特性が得られ、スイッチング比が向上し、ニューロモルフィックへの応用の可能性を示した。 |
| （英） |
ReRAMs have attracted much attention due to their high integration, stability, high-speed operation, and low cost. Therefore, the purpose of this study is to fabricate and evaluate ReRAM using Ga-Sn-O(GTO), an amorphous oxide semiconductor (AOS), to demonstrate its potential for new applications that are low-cost and can be mass-produced. In this study, we fabricated the ReRAM with three-layer of GTO stacked with different resistance values and evaluated their electrical characteristics. The ReRAM exhibited resistance change behavior including negative resistance that was different from unipolar and bipolar systems. In addition, analog-like characteristics were obtained and the switching ratio was improved, indicating the potential for neuromorphic applications. |
| キーワード |
（和） |
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| （英） |
ReRAM / GTO / Amorphous oxide semiconductor (AOS) / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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