| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-01-23 13:05
［ポスター講演］紫外発光デバイス用Sn系及びIn系透明導電材料の開発
○保田将希・竹舎大智・上川純平・藤間信久・小南裕子・原 和彦（静岡大）・山路晃広・黒沢俊介（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
新規紫外発光デバイスの開発を行っており、発光層にZnAl2O4を用いたELランプの開発を目指している。既存の透明導電膜であるSnO2やIn2O3系をワイドギャップ酸化物構成元素で置換することにより吸収端を短波長側に移動させることを目指した。第一原理計算により禁制帯幅を計算した結果を試料作製にフィードバックさせ、より適した材料の開発を行っている。Sn-Ge-O系及びIn-Al-O系の組成と禁制帯幅の関係について計算及び実験により検証を行った。その結果、In-Al-O系において、紫外透過導電膜作製の可能性を見出した。 |
| （英） |
The aim is to shift the forbidden band width to the higher energy side by replacing part of the tin oxide and indium oxide used in existing transparent conductive films with wide-gap oxide constituent elements. The results of the forbidden band width calculated using first-principles calculations are fed back into sample preparation to develop materials with more suitable compositions. As a result, the possibility of forming an ultraviolet-transmitting conductive film by using a mixed crystal of indium oxide and aluminum oxide has been discovered. |
| キーワード |
（和） |
透明導電材料 / 殺菌デバイス / 第一原理計算 / / / / / |
| （英） |
Transparent Conductive Materials / Sterilization Device / first principles simulations / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 1, IDY2025-1, pp. 1-4, 2025年1月. |
| 資料番号 |
IDY2025-1 |
| 発行日 |
2025-01-16 (IDY) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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