研究会開催プログラム - 2023-08-IEICE-ICD-IEICE-SDM-IST

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集積回路研究会（IEICE-ICD）

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専門委員長		池田誠 (東大)
副委員長		若林準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
幹事		吉原義昭 (キオクシア)，宮地幸祐 (信州大)
幹事補佐		白井僚 (京大)，塩見準 (阪大)，久保木猛 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)

情報センシング研究会（IST）

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委員長		池辺将之 (北大)
担当幹事		小室孝 (埼玉大)，下ノ村和弘 (立命館大)，香川景一郞 (静岡大)
担当幹事		徳田崇 (東工大)，黒田理人 (東北大)，北村和也 (NHK)，山下雄一郎 (TSMC)，大倉俊介 (立命館大)，竹本良章 (メムスコア)
担当幹事補佐		秋田純一 (金沢大)

シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM）

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専門委員長		大見俊一郎 (東工大)
副委員長		宇佐美達矢 (ラピダス)
幹事		諏訪智之 (東北大)，野田泰史 (パナソニック)
幹事補佐		細井卓治 (関西学院大)，二瀬卓也 (ウエスタンデジタル)

日時	2023年 8月 1日(火)　10:00 - 17:00 2023年 8月 2日(水)　09:00 - 17:00 2023年 8月 3日(木)　09:30 - 15:30
議題	アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
会場名	北海道大学情報教育館 3F スタジオ型多目的中講義室（ハイブリッド開催）
住所	札幌市北区北14条西9丁目
交通案内	https://www.ist.hokudai.ac.jp/access/
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（IST研究会）についてはこちらをご覧ください．

8月1日(火) 午前 10:00 - 13:00
(1) IEICE-ICD	10:00-10:45	［招待講演］最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発	○大島　俊・山本敬亮・小野豪一（日立）
(2) IEICE-ICD	10:45-11:10	量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討	○山田友弥・髙橋亮蔵・三木拓司・永田　真（神戸大）
(3) IEICE-ICD	11:10-11:35	量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価	○田口美里・高橋亮蔵・三木拓司・永田　真（神戸大）
(4) IST	11:35-12:00	相補型バイアス制御による低電圧VCO型ADCの高線形化	○小松純大・富樫拓斗・ピッチャヤパッチャヤスリクラム・池辺将之（北大）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分）
8月1日(火) 午後 13:00 - 17:00
(5) IEICE-ICD	13:00-13:45	［招待講演］低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大～ 43年間の半導体研究を振り返って～	○石橋孝一郎（電通大）
(6) IEICE-ICD	13:45-14:30	［招待講演］低消費電力センサと無線技術の研究動向	○道正志郎・石原　昇・伊藤浩之（東工大）
(7) IST	14:30-15:15	［招待講演］エッジ知能の実現に向けた低ビット幅表現・並列処理AIエンジン群の研究	○本村真人（東工大）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分）
(8) IEICE-SDM	15:25-16:10	［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源	○稲葉　工・岡　博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森　貴洋（産総研）
(9) IEICE-SDM	16:10-16:35	追加高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温動作の改善	○下方駿佑（慶大/産総研）・岡　博史・稲葉　工・飯塚将太・加藤公彦・森　貴洋（産総研）
(10) IEICE-SDM	16:35-17:00	クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析	○李　龍聖・森　貴之（金沢工大）・岡　博史・森　貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大）
8月2日(水) 午前 09:00 - 13:15
(11) IEICE-ICD	09:00-09:45	［招待講演］A 33kDMIPS 6.4W Vehicle Communication Gateway Processor Achieving 10Gbps/W Network Routing, 40ms CAN Bus Start-Up and 1.4mW Standby Power	○Kenichi Shimada・Keiichiro Sano・Kazuki Fukuoka・Hiroshi Morita・Masayuki Daito・Tatsuya Kamei・Hiroyuki Hamasaki・Yasuhisa Shimazaki（Renesas）
(12) IEICE-ICD	09:45-10:10	1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減	○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永　篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口　博（神戸大）
(13) IST	10:10-10:35	LOFICイメージセンサに用いる小面積かつ高線形な列並列読み出し回路	○堀田遼太郎・大倉俊介・大谷　愛・立田一葵（立命館大）・宮内　健・韓　相萬・大和田英樹・高柳　功（ブリルニクスジャパン）
	10:35-10:45	休憩　（ 10分）
(14) IST	10:45-11:30	［招待講演］イメージセンサ技術が創る情報センシングの社会と、センシングとイメージングの融合	○若林準人（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(15) IST	11:30-12:15	［招待講演］マルチモーダル・フレキシブルセンサシステム	○竹井邦晴（北大）
	12:15-13:15	昼食　（ 60分）
8月2日(水) 午後 13:15 - 17:00
(16) IEICE-SDM	13:15-14:00	［招待講演］原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ	○小林正治・日掛凱斗・李　卓・ハオジュンシャン・パンディチトラ・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治（奈良先端大）
(17) IEICE-SDM	14:00-14:45	［招待講演］先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向～ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ～	○若林　整（東工大）
(18) IEICE-SDM	14:45-15:10	センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET	○原田知親（山形大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分）
(19)	15:20-17:00	パネルディスカッション「エッジAIの未来と求められる要素技術」
8月3日(木) 午前 09:30 - 13:00
(20) IEICE-SDM	09:30-10:15	［招待講演］二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望	○長汐晃輔（東大）
(21) IEICE-SDM	10:15-11:00	［招待講演］ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用	○饗場悠太・田中　瞳・田中洋毅・菊島史恵・藤澤俊雄・向田秀子・佐貫朋也（キオクシア）
	11:00-11:10	休憩　（ 10分）
(22) IST	11:10-11:35	Stabilizing Variable Filters Using Inverse Trigonometric Functions	○Tian-Bo Deng（Toho Univ.）
(23) IST	11:35-12:00	画像色相分析による水中海面層のクロロフィルa濃度分析手法	○小迫隼也・濱崎利彦（広島工大）
	12:00-13:00	休憩　（ 60分）
8月3日(木) 午後 13:00 - 15:30
(24) IEICE-ICD	13:00-13:45	［招待講演］エネルギーの場，コンピューターのカタチ	○三浦典之（阪大）
(25) IEICE-ICD	13:45-14:30	［招待講演］パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発	○川井秀介・上野武司・宮崎耕太郎・高谷　聡（東芝）・鬼塚浩平（東芝欧州社）・石原寛明（東芝）
	14:30-14:40	休憩　（ 10分）
(26) IEICE-ICD	14:40-15:05	Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs	○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya（UTokyo）
(27) IEICE-ICD	15:05-15:30	Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection by Measuring Gate-to-Emitter Voltage	○Haifeng Zhang・Dibo Zhang・Hiromu Yamasaki・Katsuhiro Hata（Univ. of Tokyo）・Keiji Wada（Tokyo Metropolitan Univ.）・Kan Akatsu（Yokohama National Univ.）・Ichiro Omura（Kyusyu Institute of Technology）・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 40 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IEICE-ICD	集積回路研究会（IEICE-ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	宮地幸祐 (信州大学) E-: knshu-u
IST	情報センシング研究会（IST） [今後の予定はこちら]
	問合先	池辺将之 (北海道大学） E-: ibeisti
IEICE-SDM	シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	佐久間究（キオクシア） E-: oxia