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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2019-03-22
13:00
東京 機械振興会館 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領... [more] IST2019-17
pp.27-32
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