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講演抄録/キーワード
講演名 2019-03-22 13:00
横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
抄録 (和) 低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領域における高量子効率化の両立を図ったCMOSイメージセンサ(CIS)を設計・試作し,低照度から高照度にかけての光に対する線形応答,2430万個の飽和電子数,71.3dBの信号対雑音比,200-1100nmの広光波長帯域における高量子効率の性能を達成した.本CISを用いた応用例の1つとして,非侵襲血糖値測定に向けた近赤外吸光イメージングを行い,1050nmの光波長を用いて5mg/dlグルコース溶液の拡散・対流をリアルタイムかつ鮮明に捉えることができた. 
(英) This paper presents a 16$mu$m pixel pitch CMOS image sensor exhibiting 24.3Me- full well capacity and high near infrared sensitivity by the introduction of lateral overflow integration trench capacitor on a low impurity concentration p-type Si substrate. The CIS achieved 71.3dB SNR with linear response and 200-1100nm wide spectral response with high quantum efficiency. As one of applications using the CIS, a near infrared absorption imaging for non-invasive blood glucose measurement was experimented and a diffusion of 5mg/dl concentration glucose was clearly visualized at 1050nm.
キーワード (和) CIS / 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量 / 吸光イメージング / 近赤外光 / 高飽和 / / /  
(英) CIS / Lateral Overflow Integration Trench Capacitor / Absorption Imaging / Near Infrared Light / High Saturation / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 43, no. 11, IST2019-17, pp. 27-32, 2019年3月.
資料番号 IST2019-17 
発行日 2019-03-15 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2019-03-22 - 2019-03-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 固体撮像技術および一般 
テーマ(英) Image Sensors, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2019-03-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 24.3Me- Full Well Capacity and High Near Infrared Sensitivity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CIS / CIS  
キーワード(2)(和/英) 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量 / Lateral Overflow Integration Trench Capacitor  
キーワード(3)(和/英) 吸光イメージング / Absorption Imaging  
キーワード(4)(和/英) 近赤外光 / Near Infrared Light  
キーワード(5)(和/英) 高飽和 / High Saturation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 村田 真麻 / Maasa Murata / ムラタ マアサ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 康行 / Yasuyuki Fujihara / フジハラ ヤスユキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 雄介 / Yusuke Otsuka / オオツカ ユウスケ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 寛 / Hiroshi Shibata / シバタ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴口 拓 / Taku Shibaguchi / シバグチ タク
第6著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 浩 / Yutaka Kamata / カマタ ユタカ
第7著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 規之 / Noriyuki Miura / ミウラ ノリユキ
第8著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 栗山 尚也 / Naoya Kuriyama / クリヤマ ナオヤ
第9著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2019-03-22 13:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2019-17 
巻番号(vol) ITE-43 
号番号(no) no.11 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数 ITE-6 
発行日 ITE-IST-2019-03-15 


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