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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催)
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学 M棟M151 パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユーエムシー
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催)
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス
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