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情報センシング研究会(IST) [schedule] [select]
委員長 浜本 隆之 (東京理科大)
副委員長 大竹 浩 (NHK), 秋田 純一 (金沢大)
担当幹事 池辺 将之 (北海道大)

シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

集積回路研究会(IEICE-ICD) [schedule] [select]
専門委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 永田 真 (神戸大)
幹事 橋本 隆 (パナソニック), 夏井 雅典 (東北大)
幹事補佐 伊藤 浩之 (東工大), 柘植 政利 (ソシオネクスト), 廣瀬 哲也 (神戸大)

日時 2018年 8月 7日(火) 09:00 - 17:10
2018年 8月 8日(水) 09:00 - 17:40
2018年 8月 9日(木) 09:30 - 15:20
議題 アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151講義室 
住所 〒060-0814 札幌市北区北14条西9丁目
交通案内 地下鉄北18条駅から徒歩15分またはJR札幌駅より徒歩20分
http://www.ist.hokudai.ac.jp/access/
他の共催 ◆応用物理学会;IEEE SSCS Japan Chapter;IEEE SSCS Kansai Chapter共催
お知らせ ◎8/8(水)パネルディスカッション終了後,懇親会を開催いたします.
是非御参加ください.
日時 :8月8日(水) 18:00~20:00(予定)
後日,詳細をご案内します.

8月7日(火) 午前 
09:00 - 10:35
(1)
IST
09:00-09:25 前庭動眼反射を考慮した初期聴覚モデルの考察と回路評価 池上高広池辺将之高前田伸也本村真人浅井哲也北大
(2)
IST
09:25-09:50 テラヘルツイメージング用CMOSピクセル回路の広帯域化 金澤悠里平松正太佐野栄一横山紗友里池辺将之北大
(3)
IST
09:50-10:35 [招待講演]ナノプローブテクノロジーを利用したセンシング技術と応用 末岡和久北大
  10:35-10:45 休憩 ( 10分 )
8月7日(火) 午前 
10:45 - 11:55
(4)
IEICE-ICD
10:45-11:30 [招待講演]エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性 ~ 低電力、低コスト、高精度IoTセンサの提案 ~ 石橋孝一郎電通大
(5)
IEICE-ICD
11:30-11:55 FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較 山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大
  11:55-12:55 昼食 ( 60分 )
8月7日(火) 午後 
12:55 - 14:50
(6)
IEICE-SDM
12:55-13:40 [招待講演]慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 富澤英之久留井慶彦東芝)・秋田一平産総研)・藤本 明齋藤友博小島章弘柴田英毅東芝
(7)
IEICE-SDM
13:40-14:25 [招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 柳 永勛産総研
(8)
IEICE-SDM
14:25-14:50 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
8月7日(火) 午後 
15:00 - 15:50
(9)
IEICE-ICD
15:00-15:25 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路 小嶋文也原田知親山形大
(10)
IEICE-ICD
15:25-15:50 A 65nm SOTB Based-On Code-Modulated Synchronized-OOK Transmitter for Normally-Off Wireless Sensor Networks Van-Trung NguyenRyo IshikawaKoichiro IshibashiThe UEC
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
8月7日(火) 午後 
16:00 - 17:10
(11)
IEICE-ICD
16:00-16:45 [招待講演]電池駆動IoTデバイス向け電源監視技術 川崎健一長田潤一中本裕之富士通研
(12)
IEICE-ICD
16:45-17:10 FPGA搭載プロセッサのダイ温度からの消費電力推定 金子博昭金杉昭徳東京電機大
8月8日(水) 午前 
09:00 - 10:10
(13)
IEICE-SDM
09:00-09:45 [招待講演]酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 ~ 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 ~ 島 久高橋 慎内藤泰久秋永広幸産総研
(14)
IEICE-SDM
09:45-10:10 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. Tokyo
  10:10-10:20 休憩 ( 10分 )
8月8日(水) 午前 
10:20 - 11:50
(15)
IEICE-SDM
10:20-11:05 [招待講演]原子/イオン移動型素子を用いたニューロモルフィック動作 大野武雄大分大
(16)
IST
11:05-11:50 [招待講演]結晶性酸化物半導体を用いた極低電力デバイス 加藤 清半導体エネルギー研
  11:50-12:50 昼食 ( 60分 )
8月8日(水) 午後 
12:50 - 14:25
(17)
IEICE-ICD
12:50-13:15 デジタルICチップにおける電源ノイズの評価及び解析 地家幸佑月岡暉裕澤田凌兵渡辺 航三浦典之永田 真神戸大
(18)
IEICE-ICD
13:15-13:40 パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル 石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユーエムシー
(19)
IEICE-ICD
13:40-14:25 [招待講演]組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン 山岡雅直日立
  14:25-14:35 休憩 ( 10分 )
8月8日(水) 午後 
14:35 - 17:40
(20)
IEICE-SDM
14:35-15:00 3D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた 再構成可能なシステムLSIの設計法の提案 渡辺重佳湘南工大
(21)
IEICE-SDM
15:00-15:25 3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路方式の研究 ~ 従来のLUT方式、平面型との比較 ~ 鈴木章矢渡辺重佳湘南工科大
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(22) 15:40-17:40 パネルディスカッション
「新メモリデバイスを用いたインメモリコンピューティングの未来展望」
モデレータ
浅井 哲也(北海道大)
パネリスト
山岡雅直(日立製作所),島 久(産業技術総合研究所),大野武雄(大分大),加藤 清(半導体エネルギー研究所),出口 淳(東芝メモリ)
8月9日(木) 午前 
09:30 - 11:45
(23)
IEICE-ICD
09:30-10:15 [招待講演]フレキシブルデバイスを用いたセンシングシステムの開発と社会実装 吉本秀輔PGV Inc.
(24)
IEICE-ICD
10:15-11:00 [招待講演]容量結合方式による非接触・無拘束マルチバイタルセンシング ~ 先端研究事例の紹介 ~ 植野彰規東京電機大
(25)
IEICE-ICD
11:00-11:45 [招待講演]心拍変動解析に向けたウェアラブル生体センサの開発 和泉慎太郎阪大
  11:45-12:45 昼食 ( 60分 )
8月9日(木) 午後 
12:45 - 13:35
(26)
IEICE-ICD
12:45-13:10 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究 五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサスエレクトロニクス
(27)
IEICE-ICD
13:10-13:35 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発 藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス
  13:35-13:45 休憩 ( 10分 )
8月9日(木) 午後 
13:45 - 15:20
(28)
IEICE-SDM
13:45-14:10 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大
(29)
IEICE-SDM
14:10-14:35 強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 小林正治多川友作バク ヒ平本俊郎東大生研
(30)
IEICE-SDM
14:35-15:20 [招待講演]28nm不揮発プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発 根橋竜介伴野直樹宮村 信森岡あゆ香白 旭岡本浩一郎井口憲幸沼田秀昭波田博光杉林直彦阪本利司多田宗弘NEC

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IST 情報センシング研究会(IST)   [今後の予定はこちら]
問合先 池辺将之 (北海道大学)
E-: ibeisti 
IEICE-SDM シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 森 貴洋 (産業技術総合研究所)
E-: -aist
諸岡 哲 (東芝メモリ)
E-: ba 
IEICE-ICD 集積回路研究会(IEICE-ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 柘植 政利 (ソシオネクスト)
E-: gecioxt
橋本 隆 (パナソニック)
E-: 1967pac 


Last modified: 2018-06-22 11:39:02


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