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抄録
資料番号
IST
2015-09-18
16:10
東京
機械振興会館
電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
○
那須野悟史
・
若嶋駿一
・
楠原史章
・
黒田理人
・
須川成利
（
東北大
）
広光波長帯域・高信頼性PD技術，低容量FD形成技術，LOFIC技術，埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm...
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IST2015-55
pp.49-52
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