| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-09-18 16:10
電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
○那須野悟史・若嶋駿一・楠原史章・黒田理人・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
広光波長帯域・高信頼性PD技術，低容量FD形成技術，LOFIC技術，埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm，画素数1280×960のCMOSイメージセンサの設計，試作，測定評価を行った．最小加工寸法0.18 μm-CMOSイメージセンサプロセステクノロジを用いて試作したチップの測定の結果，240 μV/e-の電荷電圧変換ゲイン，200 ke-の飽和電子数，190-1000 nmの広い感度波長帯域の性能を得た．高出力重水素ランプによる220時間の紫外光照射後も感度劣化が起こらない高い信頼性を有することを確認した． |
| （英） |
In this paper, a CMOS image sensor introducing wide spectral sensitive PD technology, small floating diffusion (FD) capacitance technology, lateral overflow integration capacitor (LOFIC) technology and buried channel technology is designed, fabricated and evaluated. A 5.6 μm pixel pitch CMOS image sensor was fabricated using a 0.18 μm 1P5M CMOS process technology. It achieved a high conversion gain (CG) of 240 μV/e-, a high full well capacity of 200 ke-, a wide spectral response for 190-1000 nm and a high robustness to deuterium lamp used as a UV light. |
| キーワード |
（和） |
分光感度 / 紫外光 / 電荷電圧変換ゲイン / 飽和電荷量 / CMOSイメージセンサ / / / |
| （英） |
Spectral response / Ultraviolet light / Conversion gain / Full well capacity / CMOS image sensor / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-55, pp. 49-52, 2015年9月. |
| 資料番号 |
IST2015-55 |
| 発行日 |
2015-09-11 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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