| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2011-05-13 13:30
ゲイン可変画素を用いたAPS-Cフォーマット14ビット出力CMOSイメージセンサ
○大澤慎治・Dan Pates・Xiaofeng Fan・佐藤俊明・Tim Bales・河村克之・Eduard Pages・松尾慎一郎・川口哲司・杉木 忠・吉村憲男・Ziping Yin・Russel Iimura・Scott Johnson・Aditya Rayankula（アプティナ） |
| 抄録 |
（和） |
１４bitの逐次比較型ADCと８-laneのSub_LVDS出力を持った、１６M画素、APS-CフォーマットのCMOSイメージセンサを開発し、評価した。リングゲート型トランジスタを用いた４．７８µmサイズのゲイン可変画素を用い、QE６２％、感度４９．５Ke-/lux-s、６０℃での暗電流１７e-/sを実現した。高感度モードにおける読み出しノイズは２．２e-、縦筋は０．１１e-rmsであった。 |
| （英） |
A 16M pixel APS-C format CMOS Image sensor with 14bit successive approximation (SA)-ADC and 8-lane Sub_LVDS output has been fabricated and characterized. A 4.78µm dynamic response pixel with ring gate transistors provides 62% QE, responsivity of 49.5Ke-/lux-s and dark current of 17e-/s at 60°C. Readout noise floor and column FPN are 2.2e- and 0.11e-rms, respectively, in its high conversion mode. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / APS-C / 逐次比較型ADC / ゲイン可変画素 / / / / |
| （英） |
CMOS Image Sensor / APS-C / SA-ADC / Dynamic Response Pixel / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 35, no. 17, IST2011-11, pp. 5-8, 2011年5月. |
| 資料番号 |
IST2011-11 |
| 発行日 |
2011-05-06 (IST, CE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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