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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-22 16:10
0.5V動作の高速近接無線通信用送受信機の設計
松原岳志慶大)・林 勇半導体理工学研究センター)・アブル ハサン ジョハリ熊木 聡小平 薫黒田忠広石黒仁揮慶大
抄録 (和) 本研究では65nmCMOSにおいてパルス型磁界結合を用いた高速の近接無線通信用送受信機を提案する。この送受信機は0.5Vという極低電源電圧で動作し、パルスブートストラップ回路とソースフォロア出力段が送信機の低電圧動作を可能にしている。受信機ではコモンゲートのゲインブースト増幅段が、入力インピーダンスを低減し、受信パルス信号のリンギングを抑えることを可能にしている。電源電圧0.5Vにおいてデータレートとエネルギー効率はそれぞれ1.1Gb/s/chと0.91pJ/bitを、送受信機それぞれの単体評価で達成した。また0.75Vでは1.7Gb/s/chのデータレートを達成した。 
(英) This paper presents a pulse-based inductive-coupling transceiver in 65nm CMOS for High-speed wireless proximity communication. The transceiver operates at 0.5V supply voltage. A pulse bootstrap circuit and a common drain output stage enables transmitter to operate at ultralow voltage. In the receiver, a gain boosted common-gate amplifier is used to reduce the input impedance and suppress the ringing of received pulse signal. The data rate and energy efficiency are 1.1Gb/s/ch and 0.91pJ/bit, respectively at 0.5V supply voltage. The data rate can be increased to 1.7Gb/s/ch at 0.75V.
キーワード (和) 磁界結合 / 極低電力 / ブートストラップ / 高速インターフェース / 近接通信 / / /  
(英) inductive-coupling / ultra-low voltage / bootstrap / high speed interface / proximity communication / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST IEICE-ICD  
開催期間 2011-07-21 - 2011-07-22 
開催地(和) 広島工業大学 
開催地(英) Hiroshima Institute of Technology 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 
テーマ(英) Analog, Mixed analog and digital, RF, and sensor interface circuitry 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-ICD 
会議コード 2011-07-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 0.5V動作の高速近接無線通信用送受信機の設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An 0.5V Transceiver in 65nm CMOS for High-Speed Wireless Proximity Interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁界結合 / inductive-coupling  
キーワード(2)(和/英) 極低電力 / ultra-low voltage  
キーワード(3)(和/英) ブートストラップ / bootstrap  
キーワード(4)(和/英) 高速インターフェース / high speed interface  
キーワード(5)(和/英) 近接通信 / proximity communication  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松原 岳志 / Takeshi Matsubara / マツバラ タケシ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 勇 / Isamu Hayashi / ハヤシ イサム
第2著者 所属(和/英) 株式会社半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) アブル ハサン ジョハリ / Abul Hasan Johari / アブル ハサン ジョハリ
第3著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊木 聡 / Satoshi Kumaki / クマキ サトシ
第4著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小平 薫 / Kaoru Kohira / コヒラ カオル
第5著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 忠広 / Tadahiro kuroda / クロダ タダヒロ
第6著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro / イシクロ ヒロキ
第7著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-22 16:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-ICD 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-35 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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