| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2011-11-18 15:50
［招待講演］原子レベル平坦化Si表面を用いた紫外光高感度・高信頼性フォトダイオード
○黒田理人・中澤泰希・幸田安真・半澤克彦・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
紫外光に対する高い感度と，紫外光照射に対して高い安定性・長期信頼性を有する，原子レベル平坦化Si表面を用いたフォトダイオードを試作・評価した．本稿では，(100)面のSi表面の原子レベル平坦化技術，及び表面の原子レベル平坦性を維持可能とする集積化プロセス技術をまとめ，紫外光に対する高感度化と紫外光照射耐性向上の鍵となる，均一かつ極薄な表面光電荷ドリフト層の形成方法とその効果について論じる． |
| （英） |
This reports demonstrates the highly ultraviolet light sensitive and highly reliable photodiode using atomically flat Si surface. Technologies to atomically flatten Si(100) orientated surface and integration process technologies to preserve the atomic flatness are summarized. The key technologies to form the ultrathin and uniform surface photo-generated carrier drift layer and its effectiveness to the sensitivity improvement to ultraviolet light and reliability improvement to ultraviolet light exposure are reported. |
| キーワード |
（和） |
フォトダイオード / 紫外光 / 原子レベル平坦化Si表面 / / / / / |
| （英） |
Photodiode / Ultraviolet light / Atomically Flat Si Surface / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 35, no. 47, IST2011-74, pp. 25-31, 2011年11月. |
| 資料番号 |
IST2011-74 |
| 発行日 |
2011-11-11 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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