| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2012-11-21 15:40
［招待講演］表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化
○猪川 洋・佐藤弘明・小野篤史・川久保 謙（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
絶縁膜上のシリコン(SOI)中に形成されたpn接合フォトダイオードに表面プラズモン・アンテナを付加して高性能・高機能化を図った例を紹介する。厚さ100 nmのシリコンの場合には、外部量子効率を1桁程度向上させることができる。アンテナは波長選択性、偏波選択性や入射角依存性を有し、ピーク波長や偏光角はレイアウト設計のみで変更できるため、異なる特性を有する多種類のフォトダイードを１チップに集積することも可能である。SOIを利用した大規模集積回路(LSI)の発展に伴い、本フォトダイオードの利用も広がって行くことが期待される。 |
| （英） |
In order to enhance the performance and functionality of the pn-junction photodiode in silicon on insulator (SOI), surface plasmon antenna is introduced. In case of the 100-nm-thick silicon, external quantum efficiency of the photodiode can be increased by nearly an order of magnitude. The antenna shows wavelength and polarization selectivities, and incident angle dependence, and the peak wavelength and the polarization angle can be tailored only by changing the layout design. Consequently a variety of photodiodes with different characteristics can be integrated in a single chip. A wider application of this photodiode can be expected along with the evolution of the SOI-based large-scale integrated circuits (LSIs). |
| キーワード |
（和） |
SOI / 表面プラズモン・アンテナ / 波長選択性 / 偏波選択性 / 入射角依存性 / / / |
| （英） |
SOI / Surface Plasmon Antenna / Wavelength Selectivity / Polarization Selectivity / Incident Angle Dependence / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 36, no. 50, IST2012-67, pp. 27-31, 2012年11月. |
| 資料番号 |
IST2012-67 |
| 発行日 |
2012-11-14 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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