映像情報メディア学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-25 10:02
酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
辻 博史中田 充佐藤弘人中嶋宜樹藤崎好英武井達哉山本敏裕藤掛英夫NHK
抄録 (和) 酸化物半導体a-InGaZnOを用いた薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)に関して,電流電圧特性のシミュレーションモデルを新たに開発した.一次元のポアソン方程式を用いてモデルを開発することで,従来の二次元的な手法に比べて大幅に計算時間を短縮し,さらに,バンドギャップ中の欠陥準位,及びドレイン電流の拡散,ドリフト両成分を考慮することで,高精度なシミュレーションを実現した.開発モデルは,a-IGZO TFTのドレイン電流特性を広範囲なバイアス条件で再現でき, TFTの特性解析や構造設計をより速く正確に行うことが可能となる. 
(英) A new simulation model for current-voltage characteristics of oxide semiconductor thin-film transistors (a-IGZO TFTs) is presented. This model is developed on the basis of the one-dimensional Poisson equation to significantly reduce the calculation time as compared to a widely-used two-dimensional approach. Furthermore, the model takes into account trap states in the band gap, and also includes both drift and diffusion components of the drain current for precise simulation. The developed model can accurately reproduce the drain current characteristics of a-IGZO TFTs over a wide range of gate and drain voltages, which enables faster and accurate TFT structure design, as well as characteristic analyses.
キーワード (和) 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / デバイスモデリング / シミュレーション / / / /  
(英) Oxide semiconductor / Thin-film transistor / Device modeling / Simulation / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 37, no. 2, IDY2013-7, pp. 69-72, 2013年1月.
資料番号 IDY2013-7 
発行日 2013-01-17 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IDY IEICE-EID IEE-EDD  
開催期間 2013-01-24 - 2013-01-25 
開催地(和) 静岡大学 
開催地(英) Shizuoka Univ. 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会(照明学会固体光源分科会,SID日本支部共催) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2013-01-IDY-EID-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Simulation Model for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film transistor  
キーワード(3)(和/英) デバイスモデリング / Device modeling  
キーワード(4)(和/英) シミュレーション / Simulation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 博史 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 充 / Mitsuru Nakata / ナカタ ミツル
第2著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 弘人 / Hiroto Sato / サトウ ヒロト
第3著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 宜樹 / Yoshiki Nakajima / ナカジマ ヨシキ
第4著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤崎 好英 / Yoshihide Fujisaki / フジサキ ヨシヒデ
第5著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 武井 達哉 / Tatsuya Takei / タケイ タツヤ
第6著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 敏裕 / Toshihiro Yamamoto / ヤマモト トシヒロ
第7著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤掛 英夫 / Hideo Fujikake / フジカケ ヒデオ
第8著者 所属(和/英) 日本放送協会 放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK (略称: NHK)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-01-25 10:02:00 
発表時間
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2013-7 
巻番号(vol) ITE-37 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.69-72 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2013-01-17 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[映像情報メディア学会ホームページ]


ITE / 映像情報メディア学会