| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2013-01-25 10:10
非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
○川原村敏幸・内田貴之・王 大鵬・眞田 克・古田 守（高知工科大） |
| 抄録 |
（和） |
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層(IGZO)を大気圧にて成膜した酸化物TFTを形成し、電界効果移動度: μlin = 4.2 cm2/(V・s) 、及び、オン/オフ電流比:108を得た。この実験結果を踏まえ、IGZO/AlOx界面処理、絶縁膜の低温化、活性層の特性改善に努め、電界効果移動度: μlin = 7.7 cm2/(V・s) 、サブスレッショルド係数:S = 0.32 V/dec.と、真空プロセスで作製したIGZO TFTとほぼ同等の特性を得た。これら結果は、酸化物TFTの非真空(大気圧)プロセス転換における重要な第一歩である。 |
| （英） |
Last year, oxide TFT consisting of channel layer (IGZO) (47 nm) and gate insulator (AlOx) (116 nm) was fabricated by mist CVD, which can be operated at an atmospheric pressure and is effective for the growth of metal oxide thin films, and an oxide TFT with an IGZO/AlOx stack exhibited the field-effect mobility (μlin) and on/off ratio of 4.2 cm2/(V・s) and over 108, respectively. Based on the experimental results, the properties of oxide TFT with an IGZO/AlOx stack were got better and better by an interface treatment, low-temperature growth of gate insulator, and improvement of active layer. Currently, an oxide TFT with an IGZO/AlOx stack exhibited the field-effect mobility (μlin) and subthreshold swing (S) of 7.7 cm2/(V・s) and 0.32 V/dec., respectively. The characteristics of this oxide TFT are equivalent to an IGZO TFT produced under a vacuum process. The result is an important first step in non-vacuum (atmospheric pressure) process conversion of the oxide TFT. |
| キーワード |
（和） |
酸化物薄膜トランジスタ / 酸化インジウムガリウム亜鉛 / 酸化アルミニウム / ミスト化学気相成長法 / / / / |
| （英） |
Oxide TFT / IGZO / AlOx / mist CVD / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 37, no. 2, IDY2013-8, pp. 73-76, 2013年1月. |
| 資料番号 |
IDY2013-8 |
| 発行日 |
2013-01-17 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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