映像情報メディア学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-25 10:10
非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
抄録 (和) 昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層(IGZO)を大気圧にて成膜した酸化物TFTを形成し、電界効果移動度: μlin = 4.2 cm2/(V・s) 、及び、オン/オフ電流比:108を得た。この実験結果を踏まえ、IGZO/AlOx界面処理、絶縁膜の低温化、活性層の特性改善に努め、電界効果移動度: μlin = 7.7 cm2/(V・s) 、サブスレッショルド係数:S = 0.32 V/dec.と、真空プロセスで作製したIGZO TFTとほぼ同等の特性を得た。これら結果は、酸化物TFTの非真空(大気圧)プロセス転換における重要な第一歩である。 
(英) Last year, oxide TFT consisting of channel layer (IGZO) (47 nm) and gate insulator (AlOx) (116 nm) was fabricated by mist CVD, which can be operated at an atmospheric pressure and is effective for the growth of metal oxide thin films, and an oxide TFT with an IGZO/AlOx stack exhibited the field-effect mobility (μlin) and on/off ratio of 4.2 cm2/(V・s) and over 108, respectively. Based on the experimental results, the properties of oxide TFT with an IGZO/AlOx stack were got better and better by an interface treatment, low-temperature growth of gate insulator, and improvement of active layer. Currently, an oxide TFT with an IGZO/AlOx stack exhibited the field-effect mobility (μlin) and subthreshold swing (S) of 7.7 cm2/(V・s) and 0.32 V/dec., respectively. The characteristics of this oxide TFT are equivalent to an IGZO TFT produced under a vacuum process. The result is an important first step in non-vacuum (atmospheric pressure) process conversion of the oxide TFT.
キーワード (和) 酸化物薄膜トランジスタ / 酸化インジウムガリウム亜鉛 / 酸化アルミニウム / ミスト化学気相成長法 / / / /  
(英) Oxide TFT / IGZO / AlOx / mist CVD / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 37, no. 2, IDY2013-8, pp. 73-76, 2013年1月.
資料番号 IDY2013-8 
発行日 2013-01-17 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IDY IEICE-EID IEE-EDD  
開催期間 2013-01-24 - 2013-01-25 
開催地(和) 静岡大学 
開催地(英) Shizuoka Univ. 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会(照明学会固体光源分科会,SID日本支部共催) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2013-01-IDY-EID-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and properties of Oxide TFT with an IGZO/AlOx stack prepared by non-vacuum process "mist CVD" 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物薄膜トランジスタ / Oxide TFT  
キーワード(2)(和/英) 酸化インジウムガリウム亜鉛 / IGZO  
キーワード(3)(和/英) 酸化アルミニウム / AlOx  
キーワード(4)(和/英) ミスト化学気相成長法 / mist CVD  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川原村 敏幸 / Toshiyuki Kawaharamura / カワハラムラ トシユキ
第1著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 貴之 / Takayuki Uchida / ウチダ タカユキ
第2著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 大鵬 / Dapeng Wang / ワン ダーバン
第3著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 眞田 克 / Masaru Sanada / サナダ マサル
第4著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル
第5著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-01-25 10:10:00 
発表時間
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2013-8 
巻番号(vol) ITE-37 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.73-76 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2013-01-17 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[映像情報メディア学会ホームページ]


ITE / 映像情報メディア学会