| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2014-03-14 12:00
1.2um裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造
篠原武一・渡辺一史（ソニーセミコンダクタ）・○阿部高志・太田和伸（ソニー）・中山 創（ソニーセミコンダクタ）・森川隆史・大野圭一（ソニー）・杉本 大（ソニーセミコンダクタ）・門村新吾・平山照峰（ソニー） |
| 抄録 |
（和） |
新規に開発した1.20μm画素の裏面照射型CMOSイメージセンサに搭載した縦型転送ゲート（VTG)と埋め込み遮光メタル（BSM）に関して報告する。どちらの技術もSi基板内に絶縁材料と導電材料を埋め込んだ、三次元的な構造を持っている。我々は白点や暗電流、信頼性を悪化させることなく、VTGでは約60%の飽和特性の向上、BSMでは斜め光に対する混色を50%程度に抑える効果を実現した。 |
| （英） |
We propose two technologies, vertical transfer gate (VTG) and buried shielding metal (BSM), that can be applied to 1.20 μm pixel back-illuminated CMOS image sensor (BI-CIS). With the VTG and BSM, the new pixel design exhibited 60% higher saturation signals and 50% lower crosstalk at wide chief ray angle (CRA). Even though both technologies have a three-dimensional structure formed on Si substrate, our process technology enabled them to be applied without increasing white blemish count or dark current degradation. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 裏面照射型CIS / 三次元構造 / 飽和信号 / クロストーク / VTG / BSM / |
| （英） |
CMOS image sensor / Back-illuminated CIS / three-dimensional structure / saturation signals / crosstalk / VTG / BSM / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 38, no. 15, IST2014-10, pp. 7-10, 2014年3月. |
| 資料番号 |
IST2014-10 |
| 発行日 |
2014-03-07 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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