| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2014-07-03 13:55
［招待講演］ナノスケールMOSFETにおいて多値RTNに関与している個々の酸化膜トラップのキャラクタリゼーション
○土屋敏章（島根大） |
| 抄録 |
（和） |
酸化膜トラップにおける電子捕獲履歴現象を利用して，ランダムテレグラフノイズ（RTN）に関与している酸化膜トラップを評価する新手法を提案する．この方法では，電子捕獲放出時間などの時間軸因子を用いる従来法とは異なり，酸化膜トラップの荷電状態の履歴を電流ヒストグラム（確率）によって評価する．さらに，RTNに関与している酸化膜トラップの数とそれらの荷電状態を判定する方法についても提案する．これらの方法は，従来法では評価が困難な多値RTNにおける個々の酸化膜トラップの評価に対して特に有用である． |
| （英） |
We propose a novel method for characterizing the oxide traps that participate in random telegraph noise (RTN) by using charging history effects on the traps. In this method, the variation in the frequency of the high/low drain current derived from RTN with the charging history is monitored instead of the time-scale parameters that are usually used. Moreover, we also propose a method to determine the number and charging conditions of the traps. These methods are particularly effective for characterizing individual oxide traps in multi-trap RTN. |
| キーワード |
（和） |
MOSFET / ランダムテレグラフノイズ / RTN / 電子捕獲履歴 / 酸化膜トラップ / / / |
| （英） |
MOSFET / Random Telegraph Noise / RTN / Charging History Effect / Oxide Traps / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 38, no. 26, IST2014-32, pp. 29-30, 2014年7月. |
| 資料番号 |
IST2014-32 |
| 発行日 |
2014-06-26 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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