| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-07-03 09:30
［招待講演］酸化物半導体とイメージセンサへの応用
○前田修平・王丸拓郎・中川貴史・岡本佑樹・上妻宗広・米田誠一・井上広樹・黒川義元・池田隆之・家田義紀・山出直人・宮入秀和（半エネ研）・池田 誠（東大）・山元良高・山﨑舜平（半エネ研） |
| 抄録 |
（和） |
新しい結晶構造であるc-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal (CAAC) と呼ばれる結晶性In-Ga-Zn-O (IGZO) を用いたFETは高い信頼性と極めて低いオフ電流を有する。そのため、CAAC-IGZO技術は、次世代ディスプレイの主要技術と期待され、当該技術を用いた液晶ディスプレイの量産はすでに始まっている。その一方で、我々は、CAAC-IGZO FETの極小オフ電流という特徴に着目することで、CAAC-IGZO 技術のLSIへの応用の可能性を見出し、先駆的な開発を進めてきた。特に、CAAC-IGZO FET/ CMOS FETハイブリッドプロセスの開発に成功し、当該ハイブリッドプロセスを用いて不揮発性メモリやノーマリオフCPU、ノーマリオフFPGA、さらにはイメージセンサの開発を進めている。本論文ではCAAC-IGZO技術とのイメージセンサへの応用についてレビューする。 |
| （英） |
An FET containing crystalline In-Ga-Zn-O (IGZO) with a novel crystal structure called a c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal (CAAC) structure exhibits high reliability and ultralow off-state current. CAAC-IGZO technology is therefore promising key technology for next-generation displays and contributes to mass production of liquid crystal displays. Meanwhile, we have investigated the feasibility of applying the CAAC-IGZO technology to LSI by utilizing the ultralow off-state current of a CAAC-IGZO FET and have pioneered the development of LSI using oxide semiconductors. Our success in developing a hybrid process involving a CMOS FET and a CAAC-IGZO FET promotes the development of nonvolatile memory, normally off CPU, normally off FPGA, and image sensors. This paper reviews the application of the CAAC-IGZO technology to image sensors. |
| キーワード |
（和） |
CAAC-IGZO / オフ電流 / グローバルシャッタ / ビジョンセンサ / 差分画像 / モーション検出 / / |
| （英） |
CAAC-IGZO / Off-state current / Global shutter / Vision sensor / Differential frame / Motion capture / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 39, no. 22, IST2015-41, pp. 21-26, 2015年7月. |
| 資料番号 |
IST2015-41 |
| 発行日 |
2015-06-25 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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