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講演抄録/キーワード
講演名 2015-07-03 09:30
[招待講演]酸化物半導体とイメージセンサへの応用
前田修平王丸拓郎中川貴史岡本佑樹上妻宗広米田誠一井上広樹黒川義元池田隆之家田義紀山出直人宮入秀和半エネ研)・池田 誠東大)・山元良高山﨑舜平半エネ研
抄録 (和) 新しい結晶構造であるc-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal (CAAC) と呼ばれる結晶性In-Ga-Zn-O (IGZO) を用いたFETは高い信頼性と極めて低いオフ電流を有する。そのため、CAAC-IGZO技術は、次世代ディスプレイの主要技術と期待され、当該技術を用いた液晶ディスプレイの量産はすでに始まっている。その一方で、我々は、CAAC-IGZO FETの極小オフ電流という特徴に着目することで、CAAC-IGZO 技術のLSIへの応用の可能性を見出し、先駆的な開発を進めてきた。特に、CAAC-IGZO FET/ CMOS FETハイブリッドプロセスの開発に成功し、当該ハイブリッドプロセスを用いて不揮発性メモリやノーマリオフCPU、ノーマリオフFPGA、さらにはイメージセンサの開発を進めている。本論文ではCAAC-IGZO技術とのイメージセンサへの応用についてレビューする。 
(英) An FET containing crystalline In-Ga-Zn-O (IGZO) with a novel crystal structure called a c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal (CAAC) structure exhibits high reliability and ultralow off-state current. CAAC-IGZO technology is therefore promising key technology for next-generation displays and contributes to mass production of liquid crystal displays. Meanwhile, we have investigated the feasibility of applying the CAAC-IGZO technology to LSI by utilizing the ultralow off-state current of a CAAC-IGZO FET and have pioneered the development of LSI using oxide semiconductors. Our success in developing a hybrid process involving a CMOS FET and a CAAC-IGZO FET promotes the development of nonvolatile memory, normally off CPU, normally off FPGA, and image sensors. This paper reviews the application of the CAAC-IGZO technology to image sensors.
キーワード (和) CAAC-IGZO / オフ電流 / グローバルシャッタ / ビジョンセンサ / 差分画像 / モーション検出 / /  
(英) CAAC-IGZO / Off-state current / Global shutter / Vision sensor / Differential frame / Motion capture / /  
文献情報 映情学技報, vol. 39, no. 22, IST2015-41, pp. 21-26, 2015年7月.
資料番号 IST2015-41 
発行日 2015-06-25 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST IEICE-ICD  
開催期間 2015-07-02 - 2015-07-03 
開催地(和) 防衛大学校 
開催地(英) National Defense Academy 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface Circuitry 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2015-07-IST-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化物半導体とイメージセンサへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Oxide Semiconductor and its Application to Image Sensors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CAAC-IGZO / CAAC-IGZO  
キーワード(2)(和/英) オフ電流 / Off-state current  
キーワード(3)(和/英) グローバルシャッタ / Global shutter  
キーワード(4)(和/英) ビジョンセンサ / Vision sensor  
キーワード(5)(和/英) 差分画像 / Differential frame  
キーワード(6)(和/英) モーション検出 / Motion capture  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 修平 / Shuhei Maeda / マエダ シュウヘイ
第1著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 王丸 拓郎 / Takuro Ohmaru / オウマル タクロウ
第2著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 貴史 / Takashi Nakagawa / ナカガワ タカシ
第3著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 佑樹 / Yuki Okamoto / オカモト ユウキ
第4著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上妻 宗広 / Munehiro Kozuma / コウヅマ ムネヒロ
第5著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 米田 誠一 / Seiichi Yoneda / ヨネダ セイイチ
第6著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 広樹 / Hiroki Inoue / イノウエ ヒロキ
第7著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒川 義元 / Yoshiyuki Kurokawa / クロカワ ヨシユキ
第8著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 隆之 / Takayuki Ikeda / イケダ タカユキ
第9著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 家田 義紀 / Yoshinori Ieda / イエダ ヨシノリ
第10著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 山出 直人 / Naoto Yamade / ヤマデ ナオト
第11著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮入 秀和 / Hidekazu Miyairi / ミヤイリ ヒデカズ
第12著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 誠 / Makoto Ikeda / イケダ マコト
第13著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 山元 良高 / Yoshitaka Yamamoto / ヤマモト ヨシタカ
第14著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ
第15著者 所属(和/英) (株)半導体エネルギー研究所 (略称: 半エネ研)
Semiconductor Energy Laboratory (略称: SEL)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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講演者
発表日時 2015-07-03 09:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2015-41 
巻番号(vol) ITE-39 
号番号(no) no.22 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数 ITE-6 
発行日 ITE-IST-2015-06-25 


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