| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-09-18 14:00
結晶性酸化物半導体回路とアバランシェ増倍型光電変換膜を用いた高感度イメージセンサ
黒川義元・中川貴史・前田修平・王丸拓郎・池田隆之・鈴木康太・山出直人・宮入秀和（半導体エネルギー研）・為村成亭・菊地健司・宮川和典・○大竹 浩・久保田 節（NHK）・池田 誠（東大）・山崎舜平（半導体エネルギー研） |
| 抄録 |
（和） |
アバランシェ電荷増倍を利用する高感度CMOSイメージセンサとして、画素に、結晶性セレン薄膜を用いた光電変換素子とCrystalline Oxide Semiconductor (OS) FETを用いた構成の可能性を検証する。OS FETは当該光電変換素子がアバランシェ電荷増倍を起こし得る20V超のバイアスに耐性を有していることを確認した。また、OS FET/CMOS FET 基板を模した画素電極上に形成した正孔が主たる走行キャリアであるアモルファスセレン系光電変換素子が良好な光電特性を示していることから、OS FET/CMOS FET hybrid processとの親和性を確認でき、今後、結晶性セレンを用いた光電変換素子において、アバランシェ電荷増倍が実現できる見込みが得られた。 |
| （英） |
To realize a high-sensitivity CMOS image sensor using avalanche multiplication, we investigate the feasibility of a pixel structure that uses a crystalline selenium-based photoelectric conversion element and a crystalline oxide semiconductor (OS)-based FET. The OS FET is shown to have a withstand voltage of over 20 V, with which the photoelectric conversion element can cause avalanche multiplication. An amorphous selenium-based photoelectric conversion element in which holes are mainly travelling carriers and which is formed on a pixel electrode on a pseudo OS FET/CMOS FET substrate exhibits favorable photoconductivity, indicating compatibility with an OS FET/CMOS FET hybrid process. This shows the potential for realizing an OS/CMOS image sensor using avalanche multiplication in a crystalline selenium-based photoelectric conversion element. |
| キーワード |
（和） |
結晶性酸化物半導体 / 結晶セレン光電変換膜 / CMOSイメージセンサ / / / / / |
| （英） |
Crystalline oxide semiconductor / Crystalline selenium-based photoconductor film / CMOS image sensor / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-51, pp. 33-36, 2015年9月. |
| 資料番号 |
IST2015-51 |
| 発行日 |
2015-09-11 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|