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講演抄録/キーワード
講演名 2015-09-18 16:40
フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大
抄録 (和) フローティングディフュージョン(FD)容量(CFD)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和CMOSイメージセンサについて述べる.テストパターンを用いたCFD成分抽出結果を解析し,CFDを極小化する非LDD・低濃度拡散層構造を提案した.横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC),デュアルゲイン列アンプ,浮遊容量負荷読み出し,埋め込みチャネル画素ソースフォロワ(SF)トランジスタと共に極小CFD構造を適用した最小加工寸法0.18um-CMOSイメージセンサプロセスを用いて試作した360×1680画素CMOSイメージセンサを評価し,コンバージョンゲイン(CG)243uV/e-,読み出しノイズ0.46e-rms,飽和容量(FWC)76ke-を得た. 
(英) This paper reports the analysis and reduction technology of components of floating diffusion (FD) capacitance (CFD) and its application to a high sensitivity and high full well capacity CMOS image sensor. We analyzed the result of CFD components extracted by the developed test patterns, and proposed FD structure with non-LDD and low concentration diffusion layer to reduce CFD. CMOS image sensor which has 360H×1680V pixels fabricated by 0.18um CMOS process technology with lateral overflow integration capacitor (LOFIC), dual gain column amplifier, floating capacitor load readout operation, buried channel pixel source follower (SF) transistor and low CFD device structure was evaluated and it exhibited 243uV/e- of conversion gain (CG), 0.46e-rms of readout noise, and 76ke- of full well capacity (FWC).
キーワード (和) フローティングディフュージョン容量 / 横型オーバーフロー蓄積容量 / 高感度 / 高飽和 / / / /  
(英) Floating Diffusion Capacitance / Lateral Overflow Integration Capacitor / High Sensitivity / High Full Well Capacity / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-56, pp. 53-56, 2015年9月.
資料番号 IST2015-56 
発行日 2015-09-11 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2015-09-18 - 2015-09-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) イメージセンサおよび一般、2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2015-09-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis and Reduction of Floating Diffusion Capacitance Components and Application to High Sensitivity and High Full Well Capacity CMOS Image Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フローティングディフュージョン容量 / Floating Diffusion Capacitance  
キーワード(2)(和/英) 横型オーバーフロー蓄積容量 / Lateral Overflow Integration Capacitor  
キーワード(3)(和/英) 高感度 / High Sensitivity  
キーワード(4)(和/英) 高飽和 / High Full Well Capacity  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 楠原 史章 / Fumiaki Kusuhara / クスハラ フミアキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 若嶋 駿一 / Shunichi Wakashima / ワカシマ シュンイチ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 那須野 悟史 / Satoshi Nasuno / ナスノ サトシ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2015-09-18 16:40:00 
発表時間 30 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2015-56 
巻番号(vol) ITE-39 
号番号(no) no.35 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2015-09-11 


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