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講演抄録/キーワード
講演名 2015-09-18 15:40
高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
木村雅俊ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)・山口 直ルネサスエレクトロニクス)・黒井 隆ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-54, pp. 45-48, 2015年9月.
資料番号 IST2015-54 
発行日 2015-09-11 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893    Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2015-09-18 - 2015-09-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) イメージセンサおよび一般、2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2015-09-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of Implantation Damage Recovery using Microwave Annealing for High Performance Image Sensing Devices. 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 雅俊 / Masatoshi Kimura / キムラ マサトシ
第1著者 所属(和/英) ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社 (略称: ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. (略称: RSMC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 直 / Tadashi Yamaguchi / ヤマグチ タダシ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサスエレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒井 隆 / Takashi Kuroi / クロイ タカシ
第3著者 所属(和/英) ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社 (略称: ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. (略称: RSMC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-09-18 15:40:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 IST 
資料番号 IST2015-54 
巻番号(vol) vol.39 
号番号(no) no.35 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数
発行日 2015-09-11 (IST) 


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