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講演抄録/キーワード
講演名
2015-09-18 15:40
高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
○
木村雅俊
(
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
)・
山口 直
(
ルネサスエレクトロニクス
)・
黒井 隆
(
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
)
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-54, pp. 45-48, 2015年9月.
資料番号
IST2015-54
発行日
2015-09-11 (IST)
ISSN
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会
IST
開催期間
2015-09-18 - 2015-09-18
開催地(和)
機械振興会館
開催地(英)
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和)
イメージセンサおよび一般、2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IST
会議コード
2015-09-IST
本文の言語
日本語
タイトル(和)
高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Investigation of Implantation Damage Recovery using Microwave Annealing for High Performance Image Sensing Devices.
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
木村 雅俊
/
Masatoshi Kimura
/
キムラ マサトシ
第1著者 所属(和/英)
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社
(略称:
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.
(略称:
RSMC
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
山口 直
/
Tadashi Yamaguchi
/
ヤマグチ タダシ
第2著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサスエレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corporation
(略称:
Renesas Electronics
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
黒井 隆
/
Takashi Kuroi
/
クロイ タカシ
第3著者 所属(和/英)
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社
(略称:
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.
(略称:
RSMC
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第4著者 所属(和/英)
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第5著者 所属(和/英)
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第6著者 所属(和/英)
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第7著者 所属(和/英)
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2015-09-18 15:40:00
発表時間
30分
申込先研究会
IST
資料番号
IST2015-54
巻番号(vol)
vol.39
号番号(no)
no.35
ページ範囲
pp.45-48
ページ数
4
発行日
2015-09-11 (IST)
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