| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-09-18 10:15
1600万画素グローバルシャッタモード搭載の400万マイクロバンプ接続積層イメージセンサ
○近藤 亨・竹本良章・小林賢司・月村光宏・高澤直裕・加藤秀樹・鈴木俊介・青木 潤・齊藤晴久・五味祐一・松田成介・只木芳隆（オリンパス） |
| 抄録 |
（和） |
画素内の7.6umピッチ400万個の画素内マイクロバンプ接続を用いたグローバルシャッタ機能搭載の3次元積層型イメージセンサを開発した。本イメージセンサは上側の半導体基板に搭載したフォトダイオード4つに対し、１つのマイクロバンプで下側の半導体基板に搭載したストレージノードに接続することで、グローバルシャッタ機能を実現している。画素内ストレージノードによる寄生ダイオードとフォトダイオードの光感度の比で定義される寄生フォトダイオード光感度（Parasitic Light Sensitivity：PLS）は3.8umの画素ピッチで-180dBを達成した。 |
| （英） |
We have developed a 16Mpixel 3D stacked global-shutter CMOS image sensor with pixel level interconnections using 4 million micro bumps. The four photodiodes in the unit pixel circuit on the top substrate share one micro-bump interconnection in 7.6µm pitch. Each signal of the photodiodes is transferred to the corresponding storage node on the bottom substrate via the interconnection to achieve a global shutter function. The ratio of the parasitic light sensitivity of an in-pixel storage node and the light sensitivity of a photodiode is -180dB with 3.8µm pixel size. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 積層構造 / グローバルシャッタ / 画素内ストレージ / / / / |
| （英） |
CMOS Image Sensor / 3D stacked structure / Global shutter / In-Pixel Storage Node / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 39, no. 35, IST2015-45, pp. 9-12, 2015年9月. |
| 資料番号 |
IST2015-45 |
| 発行日 |
2015-09-11 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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